【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中提供的实施例总体上涉及带电粒子光学设备和投射带电粒子的方法，并且特别是涉及使用多束带电粒子的设备和方法。
技术介绍
1、在制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程中，由于例如光学效应和偶然颗粒等原因，衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地会出现不期望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的一个重要过程。
2、带有带电粒子束的图案检查工具已经用于检查物体，例如检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对较高能量的电子的初级电子束以最终减速步进(final deceleration step)为目标，以便以相对较低着陆能量着陆在样品上。电子束被聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号带电粒子从表面发射，诸如次级电子、反向散射电子或俄歇电子。所生成的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面之上作为探...
【技术保护点】
1.一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备，所述设备被配置为朝向样品投射带电粒子束阵列，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述束上游电势与所述束下游电势之间的差异比所述束上游电势与所述上部电势之间的差异小。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离比所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离小。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述束上游电极与所述上部电极之间的距离是所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离约2到6倍大。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备，所述设备被配置为朝向样品投射带电粒子束阵列，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述束上游电势与所述束下游电势之间的差异比所述束上游电势与所述上部电势之间的差异小。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离比所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离小。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述束上游电极与所述上部电极之间的距离是所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离约2到6倍大。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述带电粒子束沿着束路径被投射，并且所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离和所述下部电极布置沿着所述束路径的尺寸基本相同。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中跨所述物镜阵列的不同物镜的所述束上游电势和所述束下游电势被配置为分别被设置以校正所述阵列中的不同物镜之间的焦点变化。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述束上游电极上的所述电势被配置为跨所述物镜阵列可控地调节，以校正所述阵列中的不同物镜之间的焦点变化。
8.根据权利要求6或7...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·V·G·曼格努斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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