【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中提供的实施例总体上涉及带电粒子光学设备和投射带电粒子的方法，并且特别是涉及使用多束带电粒子的设备和方法。
技术介绍
1、在制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程中，由于例如光学效应和偶然颗粒等原因，衬底(即，晶片)或掩模上不可避免地会出现不期望的图案缺陷，从而降低产率。因此，监测不期望的图案缺陷的程度是ic芯片制造中的一个重要过程。更一般地，衬底或其他物体/材料的表面的检查和/或测量是其制造期间和/或之后的一个重要过程。
2、带有带电粒子束的图案检查工具已经用于检查物体，例如检测图案缺陷。这些工具通常使用电子显微镜技术，诸如扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对较高能量的电子的初级电子束以最终减速步进(final deceleration step)为目标，以便以相对较低着陆能量着陆在样品上。电子束被聚焦为样品上的探测点。探测点处的材料结构与来自电子束的着陆电子之间的相互作用导致信号带电粒子从表面发射，诸如次级电子、反向散射电子或俄歇电子。所生成的次级电子可以从样品的材料结构发射。通过在样品表面之上作为探测点来扫描初级电子束，可以跨样品表面发射信号带电粒子。通过从样品表面收集这些发射的信号带电粒子，图案检查工具可以获取与样品表面的材料结构相关的数据，例如，该数据可以用于形成表示样品表面的材料结构的特性的图像。
3、普遍需要提高带电粒子光学设备的生产量和其他特性。特别地，期望能够以方便的方式控制入射到样品上的电子的着陆能量。
技术实现思路
2、根据本专利技术的一个实施例，提供了一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备，该设备被配置为朝向样品投射带电粒子束阵列，该设备包括：被配置为控制束阵列的参数的控制透镜阵列；以及被配置为将束阵列投射到样品上的物镜阵列，物镜阵列在控制透镜的束下游并且包括：上部电极；以及包括束上游电极和束下游电极的下部电极布置，其中该设备被配置为向上部电极施加上部电势，向束上游电极施加束上游电势并且向束下游电极施加束下游电势，并且被配置为控制束上游电势和束下游电势以改变和/或设置束在样品上的着陆能量并且保持不同着陆能量下束在样品上的聚焦。
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1.一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备，所述设备被配置为朝向样品投射带电粒子束阵列，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述束上游电势与所述束下游电势之间的差异比所述束上游电势与所述上部电势之间的差异小。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离比所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离小。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述束上游电极与所述上部电极之间的距离是所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离约2到6倍大。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述带电粒子束沿着束路径被投射，并且所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离和所述下部电极布置沿着所述束路径的尺寸基本相同。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中跨所述物镜阵列的不同物镜的所述束上游电势和所述束下游电势被配置为分别被设置以校正所述阵列中的不同物镜之间的焦点变化。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述束上游电极上的所述电势被配置为跨所述物镜阵列可控地调节，以校正
8.根据权利要求6或7所述的设备，其中所述阵列的不同物镜的所述电势的所述设置是通过所述阵列中的每个透镜或者通过所述阵列中的透镜组进行的。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的设备，其中所述物镜与所述样品之间的距离被配置为将被保持。
10.根据权利要求8或9所述的设备，其中所述设备被配置为控制所述束上游电势和所述束下游电势以改变和/或设置所述束在所述样品上的所述着陆能量，并且可选地控制所述束上游电势和所述束下游电势以保持不同着陆能量下所述束在所述样品上的聚焦。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的设备，还包括控制透镜，其中所述物镜阵列在所述控制透镜阵列的束下游。
12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述束上游电极的厚度比所述上部电极的厚度小，和/或所述束下游电极的厚度比所述上部电极的厚度小。
13.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述束上游电极与所述束下游电极的所述厚度基本相同。
14.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述下部电极布置的厚度与所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离基本相同。
15.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述设备还包括检测器。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备，所述设备被配置为朝向样品投射带电粒子束阵列，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述束上游电势与所述束下游电势之间的差异比所述束上游电势与所述上部电势之间的差异小。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离比所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离小。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述束上游电极与所述上部电极之间的距离是所述束上游电极与所述束下游电极之间的距离约2到6倍大。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述带电粒子束沿着束路径被投射，并且所述上部电极与所述下部电极布置之间的距离和所述下部电极布置沿着所述束路径的尺寸基本相同。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中跨所述物镜阵列的不同物镜的所述束上游电势和所述束下游电势被配置为分别被设置以校正所述阵列中的不同物镜之间的焦点变化。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述束上游电极上的所述电势被配置为跨所述物镜阵列可控地调节，以校正所述阵列中的不同物镜之间的焦点变化。
8.根据权利要求6或7...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·V·G·曼格努斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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