图案形成装置缺陷检测系统和方法制造方法及图纸

由于掩模检查晶片可以利用与生产晶片不同的工艺，所以可以利用具有较低光瞳填充比(PFR)的高对比度照射设置，其导致扫描仪的生产率降低。通过选择不同于在生产晶片上使用的高对比度照射设置，可以实现颗粒可印刷性与随机缺陷的比率的提高。组合地，或者替代地，可以利用更高剂量的抗蚀剂。这允许对晶片进行更长的曝光，从而减小光子散粒噪声的影响，还导致颗粒可印刷性与随机缺陷的提高的比率。结果，可以进一步增强颗粒可印刷性，而不会导致过量的随机缺陷。因此，可以显著地提高带电粒子检查和分析的位点数目，从而提高吞吐量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开大体上涉及通过与半导体制造工艺相关联的带电粒子或光学检查来增强图案形成装置缺陷检测。

技术介绍

1、在集成电路(ic)的制造过程中，检查未完成或完成的电路部件以确保其根据设计制造且无缺陷。可采用利用光学显微镜或带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(sem))的检查系统。随着ic部件的物理尺寸持续缩小，并且它们的结构持续变得更加复杂，缺陷检测和检查中的准确度和吞吐量变得更加重要。总体图像质量尤其取决于高次级电子和背散射电子信号检测效率的组合。背散射电子具有较高的发射能量以从样品的较深层逸出，且因此，其检测可为复杂结构(诸如3d nand装置的埋层、节点、高纵横比沟槽或孔)的成像所需。对于诸如套刻计量学的应用，可能期望同时获得高质量成像和对来自次级电子的表面信息和来自背散射电子的埋层信息的高效收集，这突出了在sem中使用多个电子检测器的需要。尽管各种结构布置中的多个电子检测器可用于使对次级电子和背散射电子的收集和检测效率单独地最大化，但组合的检测效率仍然很低，并且因此，所实现的图像质量对于二维和三维结构的高准确度和高吞吐量缺陷检查和计量可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于检测图案形成装置中的缺陷的系统，所述系统包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中相对于所述常规生产图案化工艺中的所述缺陷的图案化能力，调制所述图案化参数增强了所述缺陷到所述图案化衬底上的图案化能力，并且平衡了增强的所述图案化能力与所述图案化衬底中的与经调制的所述图案化参数相关联的图案化的缺陷的数量，并且调制所述图案化参数是在不考虑所述图案化衬底的图案化生产率的情况下被执行的；

3.根据权利要求1所述的系统，其中调制所述图案化参数包括用与常规生产图案化工艺抗蚀剂相比不同的、较高剂量抗蚀剂涂覆所述衬底。

4.根据权利要求1所述的系统，其中调制...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于检测图案形成装置中的缺陷的系统，所述系统包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中相对于所述常规生产图案化工艺中的所述缺陷的图案化能力，调制所述图案化参数增强了所述缺陷到所述图案化衬底上的图案化能力，并且平衡了增强的所述图案化能力与所述图案化衬底中的与经调制的所述图案化参数相关联的图案化的缺陷的数量，并且调制所述图案化参数是在不考虑所述图案化衬底的图案化生产率的情况下被执行的；

3.根据权利要求1所述的系统，其中调制所述图案化参数包括用与常规生产图案化工艺抗蚀剂相比不同的、较高剂量抗蚀剂涂覆所述衬底。

4.根据权利要求1所述的系统，其中调制所述图案化参数包括改变与所述常规生产图案化工艺相关联的曝光照射的剂量或焦点。

5.根据权利要求4所述的系统，其中调制所述图案化参数包括用与常规生产图案化工艺抗蚀剂相比不同的抗蚀剂涂覆所述衬底，以及改变与所述常规生产图案化工艺相关联的所述曝光照射的所述剂量，并且其中改变所述剂量包括相对于用于所述常规生产图案化工艺的剂量增加所述剂量。

6.根据权利要求1所述的系统，其中调制所述图案化参数包括与在所述常规生产图案化工艺期间提供的照射相比，提供用于图案化的较高对比度照射。

7.根据权利要求1所述的系统，其中调制所述图案化参数包括改变与所述常规图案化工艺相关联的光瞳填充比pfr。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述pfr被改变为小于20％，这使得所...

【专利技术属性】
技术研发人员：MC·范拉尔，M·JJ·维兰德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：