【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件仿真方法。
技术介绍
1、nand flash是一种数据型flash存储芯片，具有容量较大，改写速度快等优点，被广泛用于固态硬盘和便携式设备中，其基本单元由隧穿氧化物、浮置栅极、介质层、控制栅极等部分组成，通过向浮栅中注入或释放电子进行数据存储。
2、目前，针对flash存储阵列中flash存储单元仿真主要采用flash分立器件仿真模型，而未考虑到阵列的影响，难以准确评估flash存储阵列中不同位置flash存储单元的电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服flash存储器阵列中flash存储单元仿真难以准确评估不同位置flash存储单元的电性能的问题，提供了一种面向flash阵列的器件仿真方法。
2、本专利技术的一种面向flash阵列的器件仿真方法，具体步骤如下：
3、一、在flash阵列的漏端和源端分别施加电压vd施加电压vs，计算得到该flash阵列中待仿真的flash存储单元的漏端电压和源端电压；
4、二、向待仿真的flash存储单元的漏端和源端分别施加漏端电压和源端电压，计算待仿真的flash存储单元的电性能。
5、进一步地，flash阵列为n型flash阵列；
6、步骤一中计算得到flash存储单元的漏端电压和源端电压的具体过程如下：
7、步骤一一、在flash阵列的漏端施加电压vd和源端施加电压vs，提取flash存储单元导通状态下的电阻和电流
8、步骤二二、通过下式计算得到位于flash阵列中第m行、第n-2列flash存储单元的漏端电压vd-n-2和源端电压vs-n-2：
9、vd-n-2＝vd-ron×3×ion
10、vs-n-2＝vs+ron×2×ion
11、其中，ron、ion分别为flash存储单元导通状态下的电阻和电流。
12、进一步地，第m行、第n-2列flash存储单元的漏端电压随着阵列中串联flash存储单元的数量增大而减小；
13、第m行、第n-2列flash存储单元的源端电压随着阵列中串连flash存储单元的数量增大而增大；
14、第m行、第n-2列flash存储单元两端电压差值低于flash两端电压差值vd-vs。
15、进一步地，flash阵列为p型flash阵列；
16、步骤一中计算得到flash存储单元的漏端电压和源端电压的具体过程如下：
17、步骤11、在flash阵列的漏端施加电压vd和源端施加电压vs，提取flash存储单元关断状态下的电阻和电流；
18、步骤12、通过下式计算得到位于flash阵列中第m行、第n-2列flash存储单元的漏端电压vd-n-2和源端电压vs-n-2：
19、vd-n-2＝vd-roff×3×ioff
20、vs-n-2＝vs+roff×2×ioff
21、其中，roff、ioff分别为flash存储单元关断状态下的电阻和电流。
22、进一步地，第m行、第n-2列flash存储单元的漏端电压随着flash阵列中串联flash存储单元的数量增大而减小；
23、第m行、第n-2列flash存储单元的源端电压随着阵列中串连晶体管数量增大而增大；
24、第m行、第n-2列flash存储单元漏端电压低于阵列漏端电压vd。
25、进一步地，电性能包括转移特性、输出特性、耐久性和电荷保持特性。
26、本专利技术的有益效果是：
27、本专利技术提出一种面向flash阵列的器件仿真方法，实现高准确度的flash存储单元仿真。通过提升flash阵列中flash存储单元两端电压准确性，进而提升flash阵列中flash存储单元仿真准确性。
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1.一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，具体步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，FLASH阵列为n型FLASH阵列；
3.根据权利要求2所述的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，第m行、第n-2列FLASH存储单元的漏端电压随着阵列中串联FLASH存储单元的数量增大而减小；
4.根据权利要求1所述的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，FLASH阵列为p型FLASH阵列；
5.根据权利要求4所述的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，
6.根据权利要求1～5其中一项所述的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，其特征在于，电性能包括转移特性、输出特性、耐久性和电荷保持特性。
【技术特征摘要】
1.一种面向flash阵列的器件仿真方法，其特征在于，具体步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种面向flash阵列的器件仿真方法，其特征在于，flash阵列为n型flash阵列；
3.根据权利要求2所述的一种面向flash阵列的器件仿真方法，其特征在于，第m行、第n-2列flash存储单元的漏端电压随着阵列中串联flash存储单元的数量增大而...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏轶聃，董尚利，刘勇，刘超铭，刘旭东，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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