【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置。
技术介绍
1、晶圆是生产集成电路的载体和不可缺少的材料，是硅元素经过复杂的加工工艺被提取和加工成芯片的中间产物，其普遍形状为圆形，晶圆越大其一次可生产的ic就越多，一定程度上代表相关生产工艺越先进，对晶圆的划片和封装已经成为半导体产业的重要组成部分。
2、在圆晶生产的过程中，需要使用到离子体刻蚀装置，在用于300mm晶圆级等离子刻蚀工艺中，扩散板的直径通常为其三分之二，在真空泵的作用下，边缘的活性离子的流动性要大于内部，使边缘刻蚀速率与内部相等；但以上扩散板用于小尺寸200mm的晶圆级等离子刻蚀工艺中，扩散板的直径已经等于200mm的晶圆，在真空泵的作用下，边缘活性离子流动速度要大于内部，导致边缘的刻蚀速率要远大内部，使其刻蚀均匀性较差，且很难通过工艺制程参数的优化来获得更好的边缘刻蚀均匀性。
3、基于上述问题，我们提出一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本专利技...
【技术保护点】
1.一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：包括反应腔室(200)；
2.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述扩散板(300)材质为铝合金；石英；陶瓷；氧化铝陶瓷；氧化硅；氮化硅其中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述扩散板(300)的直径为200mm。
4.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述开孔区(310)的直径为135mm。
5.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：包括反应腔室(200)；
2.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述扩散板(300)材质为铝合金；石英；陶瓷；氧化铝陶瓷；氧化硅；氮化硅其中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述扩散板(300)的直径为200mm。
4.根据权利要求1所述的一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，其特征在于：所述开孔区(310)的直径为135mm。
5.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李爽爽，朱强，王新，
申请(专利权)人：晶通高邮集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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