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本发明属于晶圆加工技术领域，具体为一种提高等离子体刻蚀均匀性的装置，包括反应腔室；所述反应腔室的顶部设置有微波系统，所述反应腔室的两侧顶部设置有工艺气体入口，所述反应腔室的内腔顶部设置有扩散板，所述扩散板的中空为开孔区，所述扩散板的边缘为未...
该专利属于晶通（高邮）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶通（高邮）集成电路有限公司授权不得商用。

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