【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统。
技术介绍
1、作为电子系统的一部分，需要能够存储大容量数据的半导体器件。因此，正在进行许多研究以增加半导体器件的数据存储容量。例如，正在提出其中存储单元被三维布置的半导体器件。
技术实现思路
1、本公开的一些实施方式提供了一种具有高集成密度和高操作速度的半导体存储器件。
2、本公开的一些实施方式提供了一种包括半导体存储器件的电子系统。
3、根据本公开的一些实施方式，半导体存储器件可以包括垂直于基板的顶表面的垂直沟道、设置在所述垂直沟道的第一侧并垂直堆叠在所述基板上的字线、设置在所述垂直沟道的第二侧并垂直堆叠在所述基板上的背栅电极、设置在所述字线和所述垂直沟道的第一侧之间的铁电层、设置在所述铁电层和所述垂直沟道的第一侧之间的第一中间绝缘层、以及设置在所述背栅电极和所述垂直沟道的第二侧之间的第二中间绝缘层。
4、根据本公开的一些实施方式，半导体存储器件可以包括：设置在基板上并在第一方向上延伸的第一堆...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多条字线和所述多个背栅电极在平行于所述基板的所述顶表面的第一方向上延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括设置在所述多条字线和所述多个背栅电极之间的多个绝缘隔离图案，
4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，当在俯视图中观察时，所述多条字线部分地包围所述垂直沟道。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第二中间绝缘层在所述第一方向上延伸并覆盖所述多个背栅电极的侧表面。
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多条字线和所述多个背栅电极在平行于所述基板的所述顶表面的第一方向上延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括设置在所述多条字线和所述多个背栅电极之间的多个绝缘隔离图案，
4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，当在俯视图中观察时，所述多条字线部分地包围所述垂直沟道。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第二中间绝缘层在所述第一方向上延伸并覆盖所述多个背栅电极的侧表面。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二中间绝缘层的厚度大于所述第一中间绝缘层的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多条字线和所述多个背栅电极包括相同的导电材料。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多条字线和所述多个背栅电极包括掺杂多晶硅。
9.一种半导体存储器件，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括设置在所述第二堆叠和所述多个第二中间绝缘层之间的多个第二铁电层。
11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述多个第二中间绝缘层与所述第二堆叠的侧表面直接接触。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：赵始衍，金兑泳，朴玄睦，李奉镕，早川幸夫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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