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公开了半导体存储器件和包括所述半导体存储器件的电子系统。所述半导体存储器件可以包括垂直于基板的顶表面的垂直沟道，设置在所述垂直沟道的第一侧并垂直堆叠在堆叠基板上的字线，设置在所述垂直沟道的第二侧并垂直堆叠在所述基板上的背栅电极，设置在所述字...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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