【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化镓器件，尤其涉及一种氮化镓器件结构及其制备方法。
技术介绍
1、图1是一种氮化镓器件结构的示意图，参考图1，氮化镓器件结构中在掺杂碳的gan缓冲层03和gan沟道层50中间插入algan背势垒层40，以减弱掺杂碳的gan缓冲层03对二维电子气的散射作用，从而增加实际器件中的迁移率，此外algan背势垒层40的存在增强了二维电子气的限域性，减弱了二维电子气对基底10的漏电。但algan背势垒层40直接生长在掺杂碳的gan缓冲层03上，两种不同的材料界面处会出现晶格失配，从而增加了二维电子气在其界面处的散射和陷阱捕获效应，最终造成电子迁移率和器件击穿电压的降低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种氮化镓器件结构及其制备方法，可以提高电子的迁移率和器件的击穿电压。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种氮化镓器件结构，包括：
3、依次层叠设置的基底、algan缓冲层、掺杂碳的algan缓冲层、algan背势垒层、沟道层和势垒层；
4、其中，algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分不同，掺杂碳的algan缓冲层中的al组分位于algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分之间。
5、可选的，algan缓冲层中的al组分大于掺杂碳的algan缓冲层中的al组分；掺杂碳的algan缓冲层中的al组分大于algan背势垒层中的al组分。
6、可选的，掺杂碳的algan缓冲层包括至少
7、可选的，algan缓冲层包括至少两层algan缓冲子层，沿基底指向势垒层的方向，至少两层algan缓冲子层中的al组分依次递减。
8、可选的，algan背势垒层包括至少两层algan背势垒子层，沿基底指向势垒层的方向，至少两层algan背势垒子层中的al组分依次递减。
9、可选的，帽层；帽层位于势垒层远离沟道层的一侧。
10、可选的，沟道层的材料为gan；
11、势垒层的材料为algan；
12、帽层的材料为aln或gan中的一种，或al组分不同于algan材料的势垒层的algan。
13、可选的，基底包括衬底和形核层；其中，形核层位于衬底的一侧，algan缓冲层位于形核层远离衬底的一侧。
14、可选的，衬底的材料为硅、碳化硅和蓝宝石中的任意一种。
15、根据本专利技术的另一方面，提供了一种氮化镓器件结构的制备方法，包括：
16、形成依次层叠设置的基底、algan缓冲层、掺杂碳的algan缓冲层、algan背势垒层、沟道层和势垒层；
17、其中，algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分不同，掺杂碳的algan缓冲层中的al组分位于algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分之间。
18、本专利技术实施例技术方案提供的氮化镓器件结构包括：依次层叠设置的基底、algan缓冲层、掺杂碳的algan缓冲层、algan背势垒层、沟道层和势垒层；其中，algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分不同，掺杂碳的algan缓冲层中的al组分位于algan缓冲层中的al组分与algan背势垒层中的al组分之间，掺杂碳的algan缓冲层可以极大的降低algan缓冲层与algan背势垒层之间的晶格失配导致的界面陷阱态数量和陷阱深度，从而降低二维电子气的散射概率，改善二维电子气迁移率，并且掺杂碳的algan缓冲层还可以提高器件的击穿电压。
19、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种氮化镓器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
10.一种氮化镓器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的氮化镓器件结构，其特征在于：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：司乙川，周韧林，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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