【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种检测晶圆表面缺陷的方法、装置及介质。
技术介绍
1、作为半导体晶圆的缺陷或异物的评价方法，基于由表面检查装置所检测到的亮点缺陷(lpd，light point defect)的方法被广泛使用。该方法是这样一种方法，即，使光入射到评价对象晶圆的表面，通过检测来自该表面的放射光(包括散射光和反射光)，对晶圆的缺陷及付着于表面的异物的有无及尺寸进行评价。
2、目前，在被测的半导体晶圆为抛光单晶晶圆或外延单晶晶圆的情况下，由于这些类型晶圆的表面光滑，材质具有一致性，因此，目前基于lpd的缺陷检测方案能够准确地检测获得表面缺陷。
3、随着不同应用场景的需求，会以抛光单晶晶圆或外延单晶晶圆作为衬底，并在衬底表面会通过成膜的方式形成覆盖层，最终形成的具有覆盖层的晶圆。由于覆盖层的材质与衬底材质不一致，从而导致在使用基于lpd的缺陷检测方案进行表面缺陷检测过程中，具有覆盖层的晶圆的表面的放射光与抛光单晶晶圆或外延单晶晶圆表面的放射光，存在差异。基于该差异，目前相关的基于lpd的缺陷检测方案无法准确地检测具有覆盖层的晶圆表面所存在的缺陷。
技术实现思路
1、本公开提供了一种检测晶圆表面缺陷的方法、装置及介质；能够提高具有覆盖层的待测晶圆表面所存在的缺陷的检测准确性。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种检测晶圆表面缺陷的方法，所述方法包括：
4、获取待测晶圆的覆盖层的消光系数和
5、根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜dno通道、暗场宽1倾斜dw1o通道以及暗场宽2倾斜dw2o通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线；其中，所述第一校准曲线用于表征在所述覆盖层条件下，放射光强度与检测尺寸之间的对应关系；
6、将所述待测晶圆被检出的亮点在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道对应的放射光强度与dno通道、dw1o通道以及dw2o通道分别对应的第一校准曲线进行匹配，获得所述待测晶圆被检出的亮点分别在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道的检测尺寸；
7、根据所述待测晶圆被检出的亮点分别在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道的检测尺寸判定所述被检出的亮点对应的缺陷类型。
8、第二方面，本公开提供了一种检测晶圆表面缺陷的装置，所述装置包括：获取部、构建部、匹配部和判定部；其中，
9、所述获取部，被配置成获取待测晶圆的覆盖层的消光系数和折射率；其中，所述待测晶圆包括在单晶硅衬底上具有覆盖层的半导体晶圆；
10、所述构建部，被配置成根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜dno通道、暗场宽1倾斜dw1o通道以及暗场宽2倾斜dw2o通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线；其中，所述第一校准曲线用于表征在所述覆盖层条件下，放射光强度与检测尺寸之间的对应关系；
11、所述匹配部，被配置成将所述待测晶圆被检出的亮点在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道对应的放射光强度与dno通道、dw1o通道以及dw2o通道分别对应的第一校准曲线进行匹配，获得所述待测晶圆被检出的亮点分别在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道的检测尺寸；
12、所述判定部，被配置成根据所述待测晶圆被检出的亮点分别在dno通道、dw1o通道以及dw2o通道的检测尺寸判定所述被检出的亮点对应的缺陷类型。
13、第三方面，本公开提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面所述的检测晶圆表面缺陷的方法。
14、第四方面，本公开提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的检测晶圆表面缺陷的方法。
15、本公开提供了一种检测晶圆表面缺陷的方法、装置及介质。利用覆盖层对待测晶圆表面的消光系数和折射率所产生的影响修正校准曲线，并根据修正后的校准曲线检测待测晶圆表面的缺陷及对应的检测尺寸，提高具有覆盖层的待测晶圆表面所存在的缺陷的检测准确性。
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1.一种检测晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜DNO通道、暗场宽1倾斜DW1O通道以及暗场宽2倾斜DW2O通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜DNO通道、暗场宽1倾斜DW1O通道以及暗场宽2倾斜DW2O通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应换算关系包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述消光系数表示光穿过待测晶圆的覆盖层时，每经过单位长度时，能量被吸收的比例；所述折射率表示光在真空中与待测晶圆的覆盖层中的传播速度的比值。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待测晶圆的覆盖层的消光系数和折射率，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述待测晶圆被检出的亮点分别在DNO通道、DW1O通道以及D
8.一种检测晶圆表面缺陷的装置，其特征在于，所述装置包括：获取部、构建部、匹配部和判定部；其中，
9.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至7任一所述的检测晶圆表面缺陷的方法。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至7任一所述的检测晶圆表面缺陷的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜dno通道、暗场宽1倾斜dw1o通道以及暗场宽2倾斜dw2o通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述消光系数和所述折射率分别为暗场窄倾斜dno通道、暗场宽1倾斜dw1o通道以及暗场宽2倾斜dw2o通道构建对应的用于判定缺陷尺寸的第一校准曲线，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应换算关系包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述消光系数表示光穿过待测晶圆的覆盖层时，每经过单位长度时，能量被吸收的比例；所述折射率表示光在真空中与待测晶圆的覆盖层中的传播速度的...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯希恒，马强强，林可，李康康，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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