【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅锭，特别是涉及一种硅片生产装置、硅片生成方法及硅片。
技术介绍
1、现有技术中，硅锭切片通常使用金刚线线切工艺，当前，金刚线线切工艺的技术成熟，具有可多线作业，切片产出效率高，污染少的特点，然而，随着各产业对超薄硅片的需求增加，金刚线切割的局限性也越发凸显，切割良率显著下降。业内需要寻求一种损伤更小，效率更高的切片方法。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种硅片生成装置、硅片生成方法及硅片。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种硅片生成装置，包括：激光器、激光加工头、工作平台、定位平台以及分离机构，所述激光加工头内设有光学模组，所述光学模组包括数字微镜器件和聚焦物镜，其中，
3、所述定位平台用于固定硅锭，所述定位平台连接于所述工作平台；
4、所述数字微镜器件设置于所述激光器和所述聚焦物镜之间，所述数字微镜器件用于将所述激光器射出的光束阵列化调制形成面阵光束，并将面阵光束传输至所述聚焦物镜；
5、所述聚焦物镜与所述定位平台对应设置，用于将面阵光束聚焦至所述定位平台上的硅锭，以使硅锭内形成改质面；
6、所述分离机构设置于所述工作平台的一侧，用于将形成改质面的硅锭剥离成硅片。
7、可选地，所述硅片生成装置包括第一驱动单元、第一控制单元和第二控制单元；
8、所述第一驱动单元与所述定位平台连接；
10、所述第二控制单元和所述第一驱动单元电连接，用于控制所述第一驱动单元驱动所述定位平台运动，以使所述激光加工头对所述硅锭进行第二次阵列加工，在所述硅锭内形成第二面阵裂隙；
11、所述第一面阵裂隙与所述第二面阵裂隙间隔设置，并组合形成所述改质面。
12、可选地，所述光学模组还包括衰减器、准直扩束模组和匀化模组；
13、所述衰减器设置于所述激光器和所述准直扩束模组之间；
14、所述匀化模组设置于所述准直扩束模组和所述数字微镜器件之间。
15、可选地，所述定位平台分别沿x轴方向和y轴方向活动连接于所述工作平台。
16、可选地，所述激光加工头沿z轴方向相对所述工作平台活动，用于光束射入所述硅锭内的深度。
17、可选地，所述硅片生成装置还包括龙门架和第二滑块；
18、所述龙门架设置于所述工作平台上，所述龙门架上设置有沿z轴方向延伸的第三滑轨；
19、所述第二滑块滑动连接于所述第三滑轨，所述滑块与所述激光加工头连接。
20、可选地，所述硅片生成装置包括第二驱动单元；
21、所述第二驱动单元与所述定位平台连接，所述第二驱动单元用于驱动所述定位平台相对所述工作平台转动。
22、第二方面，本专利技术实施例还公开了一种硅片生成方法，所述硅片生成方法包括：
23、将硅锭固定在工作平台上的定位平台上；
24、调整所述定位平台，以使所述定位平台上的所述硅锭与激光加工头相对，所述激光加工头内设置有光学模组，所述光学模组包括数字微镜器件和聚焦物镜；
25、启动激光器，所述启动激光器射出的光束经由数字微镜器件阵列化调制形成面阵光束，然后通过聚焦物镜聚焦至所述硅锭，在所述硅锭内形成改质面；
26、使用分离机构对形成改质面的硅锭进行剥离处理，以将所述硅锭剥离成硅片。
27、可选地，所述启动激光器，所述启动激光器射出的光束经由数字微镜器件阵列化调制形成面阵光束，然后通过聚焦物镜聚焦至所述硅锭，在所述硅锭内形成改质面的步骤，包括：
28、第一控制单元控制第一驱动单元驱动定位平台运动，以使所述激光加工头对所述硅锭进行第一次阵列加工，在所述硅锭内形成第一面阵裂隙；
29、第二控制单元控制第一驱动单元驱动定位平台运动，以使所述激光加工头对所述硅锭进行第二次阵列加工，在所述硅锭内形成第二面阵裂隙；
30、所述第一面阵裂隙与所述第二面阵裂隙间隔设置，并组合形成所述改质面。
31、可选地，所述第一面阵裂隙包括在改质位面上形成的阵列式的第一解离点，所述第二面阵裂隙包括在改质位面上形成的阵列式的第二解离点；
32、所述第二解离点和所述第一解离点交错设置，所述第二解离点链接相邻的所述第一解离点，以形成所述改质面。
33、本专利技术实施例包括以下优点：
34、在本专利技术实施例中，所述数字微镜器件设置于所述激光器和所述聚焦物镜之间，可以将所述激光器射出的激光光束进行阵列调制成面阵光束，并将面阵光束传输至所述聚焦物镜，然后射入硅锭的指定位面，形成改质面，可以提升改质面中的面裂隙的充分链接，这样，在使用分离机构对形成有改质面的硅锭进行剥离处理时，可以提高将硅锭剥离成硅片的效率，进而提升将硅锭切片的处理效率。
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1.一种硅片生成装置，其特征在于，包括：激光器、激光加工头、工作平台、定位平台以及分离机构，所述激光加工头内设有光学模组，所述光学模组包括数字微镜器件和聚焦物镜，其中，
2.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述硅片生成装置包括第一驱动单元、第一控制单元和第二控制单元；
3.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述光学模组还包括衰减器、准直扩束模组和匀化模组；
4.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述定位平台分别沿X轴方向和Y轴方向活动连接于所述工作平台。
5.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述激光加工头沿Z轴方向相对所述工作平台活动，用于调整光束射入所述硅锭内的深度。
6.根据权利要求5所述的硅片生成装置，其特征在于，所述硅片生成装置还包括龙门架和第二滑块；
7.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述硅片生成装置包括第二驱动单元；
8.一种硅片生成方法，其特征在于，所述硅片生成方法包括：
9.根据权利要求8所述的硅片生成
10.根据权利要求9所述的硅片生成方法，其特征在于，所述第一面阵裂隙包括在改质位面上形成的阵列式的第一解离点，所述第二面阵裂隙包括在改质位面上形成的阵列式的第二解离点；
11.一种硅片，其特征在于，所述硅片采用权利要求1至7任一项所述的硅片生成装置或权利要求8-10任一项所述的硅片生成方法制备而成；
...【技术特征摘要】
1.一种硅片生成装置，其特征在于，包括：激光器、激光加工头、工作平台、定位平台以及分离机构，所述激光加工头内设有光学模组，所述光学模组包括数字微镜器件和聚焦物镜，其中，
2.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述硅片生成装置包括第一驱动单元、第一控制单元和第二控制单元；
3.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述光学模组还包括衰减器、准直扩束模组和匀化模组；
4.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述定位平台分别沿x轴方向和y轴方向活动连接于所述工作平台。
5.根据权利要求1所述的硅片生成装置，其特征在于，所述激光加工头沿z轴方向相对所述工作平台活动，用于调整光束射入所述硅锭内的深度。
6.根据权利要求5所述的硅片生成装置，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍元杰，彭云成，周锐，吴兆，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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