【技术实现步骤摘要】
本申请属于光伏加工，具体涉及一种晶体生长装置、一种晶体生长方法以及一种单晶硅棒。
技术介绍
1、近年来，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅片通常由单晶硅棒进行切片处理得到，单晶硅棒则可以由硅料生长拉制而成。在具体的应用中，单晶炉内通常设置有加热器，以通过加热器提供热量熔化硅料，为了便于操作人员在单晶炉炉体外进行操作，单晶炉炉体的温度通常需要控制在一定的范围之内。
2、现有的技术中，为了将单晶炉炉体的温度控制到合适的范围，通常需要将单晶炉炉体上设置水冷夹层。在单晶炉工作时，根据工艺需求向水冷夹层内通入冷却介质，以达到冷却降温的目的。然而，尽管冷却介质可以循环利用，在冷却介质循环过程中炉内热量只能通过耗散进入环境，无法被有效利用，从而，增加了单晶硅棒的生产成本。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种晶体生长装置、晶体生长方法以及一种单晶硅棒，以解决现有的晶体生长...
【技术保护点】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：炉体以及设置在所述炉体内的坩埚、加热器以及保温结构；其中，
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述保温结构包括保温筒以及保温毡；其中，
3.根据权利要求2所述的的晶体生长装置，其特征在于，所述保温毡包括多层子保温毡，相邻的两层所述子保温毡连接，多层所述子保温毡的整体厚度满足所述第二预设范围。
4.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二预设范围为120－180毫米。
5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一预设范围为2...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：炉体以及设置在所述炉体内的坩埚、加热器以及保温结构；其中，
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述保温结构包括保温筒以及保温毡；其中，
3.根据权利要求2所述的的晶体生长装置，其特征在于，所述保温毡包括多层子保温毡，相邻的两层所述子保温毡连接，多层所述子保温毡的整体厚度满足所述第二预设范围。
4.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第二预设范围为120－180毫米。
5.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一预设范围为240－360毫米。
6.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述炉体的侧板在与所述保温结构相邻的一侧设置有反射件，所述反射件的反射率满足第三预设范围。
7.根据权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔文沛，谢志宴，朱永刚，梁永生，杜超，韩伟，刘兵，韩昀钊，赵炜，杜倩，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。