【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体发光器件领域，尤其涉及一种用于大功率白光LED器件的封装 方法及其产品结构。
技术介绍
在现有LED (Light Emitting Diode，发光二极管)的制造技术中，LED发光器件的 封装通常是在蓝光芯片上制作pn结电极，在电极上打制金线(金线是连接LED芯片与外部 接线管脚的连接线)，将芯片电极与外部管脚连接，然后在芯片上涂覆荧光粉。公开日为2006年11月8日、公开号为CN 1858920A的中国专利技术专利申请“一种白 光LED灯的封装方法”和公开日为2009年8月26日、公开号为CN 101514805A的中国专利技术 专利申请“一种LED封装结构及其实现方法”中对于LED芯片的现有封装方式、封装结构均 有较详细的公开和披露。通过对上述资料的分析可知，现有技术路线存在有以下主要缺点1、芯片上制造pn电极影响出光由于ρ型GaN掺杂困难，当前普遍采用ρ型GaN上制备金属透明电极的方法，从而 使电流扩散，以达到均勻发光的目的，但是金属透明电极要吸收30% 40%的光；2、在pn电极上打金线工艺过程繁琐，成本高，可靠性低打金线工艺需要...
【技术保护点】
一种大功率白光ＬＥＤ器件的无金线封装方法，包括在芯片与外引支架电极之间设置电连接通道和在芯片的一侧设置荧光材料层，其特征是：Ａ、采用单晶荧光材料层构成所述的荧光材料层；Ｂ、在单晶荧光材料层的表面上制备透明导电薄膜；Ｃ、在透明导电薄膜上制备导电金属电极，所述导电金属电极形状与芯片的ｐ和／或ｎ电极形状相对应／相匹配；Ｄ、载有透明导电薄膜和导电金属电极的单晶荧光材料晶片构成单晶荧光材料复合功能单元；Ｅ、将单晶荧光材料功能单元通过共晶焊接的方法与芯片进行封装，在芯片的ｐ和／或ｎ电极与外引支架电极之间建立电连接通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李思兰，杨莹，胡泉，
申请(专利权)人：上海嘉利莱实业有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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