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【技术实现步骤摘要】
所属的技术人员能够理解,本专利技术的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此,本专利技术的各个方面可以具体实现为以下形式,即:完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等),或硬件和软件方面结合的实施方式,这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图5来描述根据本专利技术的这种实施方式的电子设备500。图5显示的电子设备500仅仅是一个示例,不应对本专利技术实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图5所示,电子设备500以通用计算设备的形式表现。电子设备500的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理单元510、上述至少一个存储单元520、连接不同系统组件(包括存储单元520和处理单元510)的总线530、显示单元540。其中,所述存储单元520存储有程序代码,所述程序代码可以被所述处理单元510执行,使得所述处理单元510执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本专利技术各种示例性实施方式的步骤。例如,所述处理单元510可以执行如图2中所示的步骤s210、设定待调整内存参数的目标参数值;步骤s220、获取半导体结构中内存颗粒对应的熔丝状态信息;步骤s230、根据熔丝状态信息和目标参数值,确定内存参数调整的熔丝熔断方案;步骤s240、根据熔丝熔断方案,控制内存颗粒进行内存参数调整。存储单元520可以包括易失性存储单元形式的可读介质,例如随机存取存储单元(ram)5201和/或高速缓存存储单元5202,还可以进一步包括只读存储单元(rom)5203。存储单元520还可以包括具有一组(至少一个)程序模块5205的程序/实用工具
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)是计算机中常用的半导体存储器件,由于具有结构简单,密度高,功耗低,价格低廉等优点,在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。
2、对于dram而言,为了实现内存颗粒的最佳输出特性,通常需要对内存颗粒的内存参数进行调整。
3、然而,对于成品dimm(本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种内存参数调整方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述熔丝状态信息包括:已熔断熔丝和未熔断熔丝。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述熔丝状态信息和所述目标参数值,确定内存参数调整的熔丝熔断方案,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述熔丝熔断方案,控制所述内存颗粒进行内存参数调整,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述熔丝熔断指令发送至所述内存颗粒,包括:
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
8.一种内存参数调整装置,其特征在于,所述装置包括:
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述熔丝状态信息包括:已熔断熔丝地址和未熔断熔丝地址。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述方案确定模块,用于根据所述目标参数值,确定需熔断熔丝;根据所述需熔断熔丝
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述参数调整模块,用于根据所述待熔断目标熔丝,生成熔丝熔断操作指令;将所述熔丝熔断操作指令发送至所述内存颗粒,以控制所述内存颗粒对所述待熔断目标熔丝执行熔丝熔断操作。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述参数调整模块,用于通过熔丝操作平台,将所述熔丝熔断指令发送至所述内存颗粒;
13.根据权利要求8-12中任一项所述的装置,其特征在于,所述信息获取模块,还用于重新获取所述内存颗粒对应的熔丝状态信息,以检测熔丝熔断操作是否成功;若成功,则发送熔丝熔断成功状态;若未成功,则重新执行所述熔丝熔断操作,直到达到最大操作上限。
14.根据权利要求8-12中任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
15.一种电子设备,其特征在于,包括:
...【技术特征摘要】
1.一种内存参数调整方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述熔丝状态信息包括:已熔断熔丝和未熔断熔丝。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述熔丝状态信息和所述目标参数值,确定内存参数调整的熔丝熔断方案,包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述熔丝熔断方案,控制所述内存颗粒进行内存参数调整,包括:
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述熔丝熔断指令发送至所述内存颗粒,包括:
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
8.一种内存参数调整装置,其特征在于,所述装置包括:
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述熔丝状态信息包括:已熔断熔丝地址和未熔断熔丝地址。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨志,陈庆峰,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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