体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法，结构包括：压电层，包括谐振区以及第一非谐振区和第二非谐振区；第一电极层，位于谐振区和第一非谐振区第一侧；第一钝化层，位于第二非谐振区、第一电极层顶部和边缘侧壁；第二电极层，位于谐振区和第二非谐振区第二侧；第二钝化层，位于第一非谐振区、第二电极层顶部和边缘侧壁；位于第一侧的第一金属层，或者，位于第二侧的第二金属层，第一金属层位于谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面，第二金属层位于谐振区和第一非谐振区的第二钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第二钝化层表面。所述体声波谐振装置的性能得到提升。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域，尤其涉及一种体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法。
技术介绍
1、无线通信设备的射频（radio frequency，简称rf）前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波（surface acoustic wave，简称saw）滤波器、压电体声波（bulk acoustic wave，简称baw）滤波器、微机电系统（micro-electro-mechanical system，简称mems）滤波器、集成无源装置（integrated passive devices，简称ipd）滤波器等。
2、当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的压电体声波滤波器技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5g时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有压电体声波滤波器技术可以解决高频段的滤波问题。
3、现有的压电体声波滤波器还有待改进。
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【技术保护点】
1.一种体声波滤波装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一金属层位于第一侧时，还包括：位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层和第二电极层。
3.如权利要求2所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层。
4.如权利要求3所述的体声波滤波装置，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一金属层位于第一侧时，还包括：位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层和第二电极层。
3.如权利要求2所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层。
4.如权利要求3所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一导电层的材料与第二电极层的材料相同。
5.如权利要求3所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
6.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二金属层位于第二侧时，还包括：位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔底部暴露出所述第一电极层表面；位于第二通孔内的第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层和第一电极层。
7.如权利要求6所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
8.如权利要求7所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
9.如权利要求8所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第三导电层的材料与第二金属层的材料相同。
10.如权利要求7所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
11.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接时，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面；所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相邻的两边相接时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面。
12.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于压电层的厚度；所述第二钝化层的厚度小于压电层的厚度。
13.一种体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一金属层位于第一侧时，电连接所述第一金属层与所述第二电极层的方法包括：形成位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；在第一通孔内形成第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层与所述第二电极层。
15.如权利要求14所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层；所述第一导电层与所述第二电极层同步形成。
16.如权利要求13所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二金属层位于第二侧时，电连接所述第二金属层与所述第一电极层的方法包括：形成位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔暴露出所述第一电极层表面；在第二通孔内形成第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层与所述第一电极层。
17.如权利要求16所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
18.如权利要求17所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
19.如权利要求18所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二导电层与第二电极层同步形成；所述第三导电层与第...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹雅丽，杨新宇，汤正杰，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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