一种桥式电路中低边MOS栅极驱动电路制造技术

本技术公开了一种桥式电路中低边MOS栅极驱动电路，包括栅极驱动器，所述栅极驱动器的低边驱动端连接至MOS管栅极限流电阻R100和三极管基极限流电阻R102，R100连接至低边MOS管Q101的栅极，Q101的漏极连接至高边MOS管Q100的源极，Q100的漏极连接至驱动电源V‑DC，Q101的源极连接到地，R102连接到PNP管Q102的基极，Q102的集电极连接到地，Q102的发射极通过泄放电阻R101连接至Q101的栅极，既可以安全可靠实现对米勒平台电流的可控泄放，不会增加开关损耗降低系统能效，有效防止电路误动作，又无需进行复杂的参数计算，具有广阔的应用前景，有利于推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路，尤其涉及一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路。

技术介绍

1、在桥式驱动电路中，高边mos突然导通时，会导致低边mos的漏极电压迅速升高，如果mos管驱动设计不合理，很容易由于米勒平台的作用导致栅极电压抬升超过开启阈值电压时，低边mos被误触发，从而造成电路板器件烧毁，因此需要加强米勒平台产生电流的泄放路径，防止mos栅极电压被抬升到超过阈值电压从而导致误触发。目前通常的做法有两种：1、在栅极接一个下拉电阻到地，如图2所示，下拉电阻的阻值不能太小，否则会导致正常开关低边mos时正常开启电流被分流，降低驱动能力从而导致低边mos的开启时间拉长，开关损耗变大。而电阻过大则会影响泄放效果，仍然存在误动作的风险。2、在栅极限流电阻上并联一个电阻和二极管，如图3所示，正常开启时还是原来的限流电阻，在泄放米勒电容电流时，会沿着小阻值电阻和二极管并通过驱动器回路到地，而且这种设计也会让正常的mos管关断时间变得更短，但是本设计需要驱动器有更高的驱动能力和灌电流承受能力，同时低边mos也并非关断时间越短越好，因为在实际应用中，栅极驱动器到mos管栅极的走线以及mos管输出所接负载，或多或少都会有等效电感的存在，快速关断就意味着mos管栅极电压和漏极电压的突变，会造成栅极电压震荡和漏极电压过冲，因此并联的二极管和电阻阻值的参数需要根据实际情况进行仔细计算和反复测试论证，从而选择最优参数，操作繁琐，费时费力。因此，急需开发一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路以解决上述技术问题。

2、有鉴于此，特提出本技术。

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技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路，既可以安全可靠实现对米勒平台电流的可控泄放，不会增加开关损耗降低系统能效，有效防止电路误动作，又无需进行复杂的参数计算，具有广阔的应用前景，有利于推广应用。

2、为了实现上述目的，本技术提供的一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路，包括栅极驱动器，所述栅极驱动器的低边驱动端连接至mos管栅极限流电阻r100和三极管基极限流电阻r102，r100连接至低边mos管q101的栅极，q101的漏极连接至高边mos管q100的源极，q100的漏极连接至驱动电源v-dc，q101的源极连接到地，r102连接到pnp管q102的基极，q102的集电极连接到地，q102的发射极通过泄放电阻r101连接至q101的栅极。

3、优选地，当驱动器控制mos管打开时，q102截止，驱动信号直接经过r100驱动q101栅极，不影响mos管开启时间。

4、优选地，当驱动器控制mos管关闭时，q102打开，栅极电压通过小阻值的r102进行泄放，可以实现mos管的快速关断，降低开关损耗。

5、本技术提供的一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路，具有如下有益效果。

6、1．本技术当控制mos管开启时，pnp截止，因此驱动器输出信号直接驱动mos管栅极，没有分流支路，不会拉长mos管开启时间，不会增加开关损耗，同时泄放回路阻抗可以设计得更小，泄放速度更快。

7、2．本技术引入了pnp三极管，米勒电容充电，mos管栅极电压被抬升使得pnp的ub<ue时，三极管即可自动导通放电。本技术不用经过精细的参数计算和论证，pnp相当于一个自动可控的泄放开关，同时由于泄放不用经过驱动器内部对地回路，减小了对驱动器性能的要求。

8、3．本技术的pnp三极管相当于一个泄放开关，mos管驱动打开时，三极管截止，mos管正常开启，mos管驱动关断时或米勒平台电压升高到超过三极管pn结阈值电压时，三极管导通，可以通过更小阻值的电流泄放米勒平台电流。

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【技术保护点】

1.一种桥式电路中低边MOS栅极驱动电路，其特征在于，包括栅极驱动器，所述栅极驱动器的低边驱动端连接至MOS管栅极限流电阻R100和三极管基极限流电阻R102，R100连接至低边MOS管Q101的栅极，Q101的漏极连接至高边MOS管Q100的源极，Q100的漏极连接至驱动电源V-DC，Q101的源极连接到地，R102连接到PNP管Q102的基极，Q102的集电极连接到地，Q102的发射极通过泄放电阻R101连接至Q101的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种桥式电路中低边MOS栅极驱动电路，其特征在于，当驱动器控制MOS管打开时，Q102截止，驱动信号直接经过R100驱动Q101栅极。

3.根据权利要求1所述的一种桥式电路中低边MOS栅极驱动电路，其特征在于，当驱动器控制MOS管关闭时，Q102打开，栅极电压通过小阻值的R102进行泄放。

【技术特征摘要】

1.一种桥式电路中低边mos栅极驱动电路，其特征在于，包括栅极驱动器，所述栅极驱动器的低边驱动端连接至mos管栅极限流电阻r100和三极管基极限流电阻r102，r100连接至低边mos管q101的栅极，q101的漏极连接至高边mos管q100的源极，q100的漏极连接至驱动电源v-dc，q101的源极连接到地，r102连接到pnp管q102的基极，q102的集电极连接到地，q102的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：米向飞，张海涛，李建明，李小青，张天，
申请(专利权)人：天津光电集团有限公司，
类型：新型
国别省市：