【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种抛光垫形貌检测方法及装置、双面抛光设备。
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)是指利用化学反应和机械摩擦力使晶圆表面平坦化的过程。为了进一步提高硅片的平坦度和洁净度，满足半导体行业日益严格的工艺要求，化学机械抛光的工艺也在不断优化。
2、现有技术中，硅片的化学机械抛光主要分为双面抛光和最终抛光两个步骤。双面抛光通过以一定速度旋转的抛光盘和抛光垫，对硅片的正面和背面同时进行减薄和抛光，有利于快速去除硅片正面和背面的损坏层，初步控制硅片的平坦度和厚度。其中，抛光垫的形貌会影响硅片的实际形貌，进而影响硅片的平坦度等工艺参数。
3、现有技术中，无法获取完善的抛光垫的形貌信息，在出现硅片形貌异常时，只能通过加工平坦度等数据进行分析，无法有效改善硅片的平坦度。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种抛光垫形貌检测方法及装置、双面抛光设备，能够获得抛光垫的完整形貌，进而可以根据抛光垫的形貌调整加工方式，改善硅片的平坦度。
2、为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
3、一种抛光垫形貌检测装置，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧设置有上抛光垫，所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧设置有下抛光垫，所述抛光垫形貌检测装置包括：
4、移动机构，能够在所述上抛光垫和所述下抛光垫之间移动；
5、设置
6、处理器，用于建立所述声波测距组件的位置信息、所述声波测距组件发射的声波信号以及所述声波测距组件接收的声波信号之间的对应关系，根据所述对应关系拟合得到所述上抛光垫和/或所述下抛光垫的形貌。
7、一些实施例中，所述处理器具体用于根据向所述上抛光垫发射声波信号的第一时间和接收所述上抛光垫反射回的声波信号的第二时间计算所述声波测距组件与所述上抛光垫之间的距离，根据所述距离和对应的所述声波测距组件的位置信息拟合得到所述上抛光垫的形貌；和/或
8、所述处理器具体用于根据向所述下抛光垫发射声波信号的第三时间和接收所述下抛光垫反射回的声波信号的第四时间计算所述声波测距组件与所述下抛光垫之间的距离，根据所述距离和对应的所述声波测距组件的位置信息拟合得到所述下抛光垫的形貌。
9、一些实施例中，所述移动机构具体用于在第一工作阶段，移动至对应所述上抛光垫内侧的第一位置；
10、所述声波测距组件具体用于在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别开始带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，向所述上抛光垫发射第一声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的第一声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射第二声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的第二声波信号。
11、一些实施例中，所述声波测距组件具体用于在第二工作阶段，在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，在所述第一位置向所述上抛光垫发射多个第三声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的多个第三声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射多个第四声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的多个第四声波信号。
12、一些实施例中，所述移动机构具体用于在第三工作阶段，在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，从所述第一位置移动至对应所述上抛光垫外侧的第二位置；
13、所述声波测距组件具体用于在移动的过程中，向所述上抛光垫发射多个第五声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的多个第五声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射多个第六声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的多个第六声波信号。
14、本专利技术实施例还提供了一种双面抛光设备，包括如上所述的抛光垫形貌检测装置。
15、一些实施例中，所述双面抛光设备还包括：
16、调整机构，用于根据所述抛光垫的形貌调整所述抛光垫的倾斜角度。
17、本专利技术实施例还提供了一种抛光垫形貌检测方法，应用于如上所述的抛光垫形貌检测装置，所述抛光垫形貌检测方法包括：
18、利用所述移动机构带动所述声波测距组件在所述上抛光垫和所述下抛光垫之间移动；
19、利用所述声波测距组件朝向所述上抛光垫和/或所述下抛光垫发射声波信号，并接收所述上抛光垫和/或所述下抛光垫反射回的声波信号；
20、建立所述声波测距组件的位置信息、所述声波测距组件发射的声波信号以及所述声波测距组件接收的声波信号之间的对应关系，根据所述对应关系拟合得到所述上抛光垫和/或所述下抛光垫的形貌。
21、一些实施例中，所述根据所述对应关系拟合得到所述上抛光垫和/或所述下抛光垫的形貌包括：
22、根据向所述上抛光垫发射声波信号的第一时间和接收所述上抛光垫反射回的声波信号的第二时间计算所述声波测距组件与所述上抛光垫之间的距离，根据所述距离和对应的所述声波测距组件的位置信息拟合得到所述上抛光垫的形貌；和/或
23、根据向所述下抛光垫发射声波信号的第一时间和接收所述下抛光垫反射回的声波信号的第二时间计算所述声波测距组件与所述下抛光垫之间的距离，根据所述距离和对应的所述声波测距组件的位置信息拟合得到所述下抛光垫的形貌。
24、一些实施例中，所述利用所述移动机构带动所述声波测距组件在所述上抛光垫和所述下抛光垫之间移动；利用所述声波测距组件朝向所述上抛光垫和/或所述下抛光垫发射声波信号，并接收所述上抛光垫和/或所述下抛光垫反射回的声波信号包括：
25、在第一工作阶段，利用所述移动机构带动所述声波测距组件移动至对应所述上抛光垫内侧的第一位置；利用所述声波测距组件在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别开始带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，向所述上抛光垫发射第一声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的第一声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射第二声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的第二声波信号；
26、在第二工作阶段，利用所述声波测距组件在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，在所述第一位置向所述上抛光垫发射多个第三声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的多个第三声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射多个第四声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的多个第四声波信号；
27、在第三工作阶段，在所述上抛光盘和所述下抛光盘分别带动所述上抛光垫和所述下抛光垫旋转时，利用所述移动机构带动所述声波测距组件从所述第一位置移动至对应所述上抛光垫外侧的第二位置；利用所述声波测距组件在移动的过程中，向所述上抛光垫发射多个第五声波信号，并接收所述上抛光垫反射回的多个第五声波信号；和/或，向所述下抛光垫发射多个第六声波信号，并接收所述下抛光垫反射回的多个第六声波信号。
28、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抛光垫形貌检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧设置有上抛光垫，所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧设置有下抛光垫，所述抛光垫形貌检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
6.一种双面抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的抛光垫形貌检测装置。
7.根据权利要求6所述的双面抛光设备，其特征在于，所述双面抛光设备还包括：
8.一种抛光垫形貌检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述的抛光垫形貌检测装置，所述抛光垫形貌检测方法包括：
9.根据权利要求8所述的抛光垫形貌检测方法，其特征在于，所述根据所述对应关系拟合得到所述上抛光垫和/或所述下抛光垫的形貌包括：
...【技术特征摘要】
1.一种抛光垫形貌检测装置，其特征在于，应用于双面抛光设备，所述双面抛光设备包括相对设置的上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧设置有上抛光垫，所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧设置有下抛光垫，所述抛光垫形貌检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的抛光垫形貌检测装置，其特征在于，
6.一种双面抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的抛光垫形貌检测装置。
【专利技术属性】
技术研发人员：杨轩，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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