真空电容器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种真空电容器及其制造方法，该真空电容器包括陶瓷绝缘管、上端盖和下端盖、上电极环、上接线柱、下电极环和下接线柱；各上电极环和各下电极环同心设置；上端盖密封住陶瓷绝缘管上端的开口，上接线柱设置在上端盖的上表面上；下端盖密封住陶瓷绝缘管下端的开口，下接线柱设置在下端盖的下表面上。该真空电容器的制造方法包括以下步骤：将拼装好的半成品真空电容器置入真空炉，抽至预定真空度后再进行加热处理，直至焊料融化，融化后的焊料将上端盖、陶瓷绝缘环和下端盖钎焊固定连接，待其冷却后取出即可作为成品真空电容器。本发明专利技术产品具有结构简化、节省材料的优点，本发明专利技术方法具有成品率高、生产效率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电容器
，具体涉及一种。
技术介绍
真空电容器就是以真空作为介质的电容器。这种电容器的电极组是采用高导无氧铜带通过一整套高精度模具一道道引伸而形成的一组同心圆柱形电极被密封在一个真空 容器中；因此其性能稳定可靠，不容易产生飞弧、电晕等现象，具有耐压高、体积小、损耗低、 性能稳定可靠等特点。图1是一种现有真空电容器的结构示意图，图2是图1所示现有真空电容器制造 方法的示意图；该种真空电容器包括陶瓷绝缘管(1)、设置在所述绝缘管(1)两侧管口处的 上端盖(2)和下端盖(3)、设置在上端盖(2)下表面上的多个上电极环(21)、设置在上端盖 (2)上表面的上接线柱(22)、设置在下端盖(3)上表面上的多个下电极环(31)、设置在下端 盖(3)下表面上的下接线柱(32)；所述各上电极环(21)和各下电极环(31)同心设置；所 述上端盖(2)密封住所述陶瓷绝缘管(1)上端的开口 ；所述下端盖(3)中央处设有与绝缘 管(1)空腔连通的透孔(33)，所述下接线柱(32)的上端焊接固定在透孔(33)中；所述下 接线柱(32)的基本形状为管状，其管腔(34)上端开口与绝缘管(1)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空电容器，包括陶瓷绝缘管（１）、设置在所述绝缘管两侧管口处的上端盖（２）和下端盖（３）、设置在上端盖（２）内侧边壁上的多个上电极环（２１）、设置在上端盖（２）外侧边壁上的上接线柱（２２）、设置在下端盖（３）内侧边壁上的多个下电极环（３１）、设置在下端盖（３）外侧边壁上的下接线柱（３２）；所述各上电极环（２１）和各下电极环（３１）同心设置；所述上端盖（２）密封住所述陶瓷绝缘管（１）上端的开口，所述上接线柱（２２）设置在所述上端盖（２）的上表面上；其特征在于：所述下端盖（３）密封住所述陶瓷绝缘管（１）下端的开口，所述下接线柱（３２）设置在所述下端盖（３）的下表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：揭兴文，
申请(专利权)人：揭兴文，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]