【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备铬靶的方法，尤其涉及一种采用真空熔铸法制备铬靶的方 法，属于金属材料制备
技术介绍
Cr靶主要用于磁控溅射的真空镀膜。溅射Cr靶的纯度、致密度对溅射薄膜的性能 影响很大，靶材的纯度越高，溅射薄膜的性能越好。为此，应尽可能降低靶材中的杂质含量， 减少沉积薄膜的污染源，提高薄膜的均勻性。Cr靶的制备，按工艺可分为熔炼铸造和粉末 冶金两大类，采用粉末冶金的方法制备的Cr靶容易含有气孔，气孔的存在，会导致溅射时 产生不正常放电而产生杂质粒子。熔炼法与粉末法制备的靶材相比，熔炼靶材的杂质含量 低，特别足气体杂质含量，且高密度化、大型化；靶材的晶粒度大小可由um量级到mm量级， 同一成分的靶材，细小尺寸靶材的溅射速率要比粗晶粒者快，而晶粒尺寸相差较小的靶材， 沉积薄膜的厚度分布也比较均勻。而现有的熔炼法难以制备成分均勻、晶粒细小的靶材。
技术实现思路
为了解决已有技术的不足，本专利技术的目的在于，提供一种制备铬靶的新方法，细化 Cr颗粒，提高Cr靶的致密性。本专利技术采用真空熔铸法制备铬靶，包括下述方法、步骤a. Cr块的挑选将有氧化皮、被污染的...
【技术保护点】
采用真空熔铸法制备铬靶的方法，其特征在于，包括下述步骤： ａ．Ｃｒ块的挑选：将有氧化皮、被污染的Ｃｒ块挑出； ｂ．熔炼：将合格的Ｃｒ块装入中频真空感应炉中，升温速率为１０－１８℃／ｍｉｎ，熔炼温度为１８００～２０００℃，保温７－１５分钟； ｃ．浇注：以０．６～０．８ｍ／ｓ的浇注速度快速浇铸到水冷Ｃｕ模中，进行快速冷却制得Ｃｒ靶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张红军，王玲玲，杨平，
申请(专利权)人：陕西斯瑞工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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