采用真空熔铸法制备CuCr40触头材料的方法技术

本发明专利技术公开的采用真空熔铸法制备ＣｕＣｒ４０电触头，属于金属材料制备技术领域。按重量百分比其组成为：４０％的Ｃｒ，其余为Ｃｕ。通过以下方法制备得到：将Ｃｒ块在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成Ｃｒ粉，将Ｃｒ粉经压制后烧结成Ｃｒ粉坯，然后将Ｃｕ块与Ｃｒ粉坯放入真空炉中加热，熔化后进行浇铸，冷却后即制得ＣｕＣｒ４０电触头材料。本发明专利技术的优点在于：将Ｃｒ块破碎成Ｃｒ粉，再经压制、烧结制成Ｃｒ粉坯，降低了熔化温度，缩短了熔化时间。本发明专利技术的制备方法，工艺简单、成本低，制得的ＣｕＣｒ４０复合材料与熔渗的ＣｕＣｒ４０复合材料相比具有更优越的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属材料制备
，具体涉及真空熔铸法制备CuCr 40 电触头的方法。
技术介绍
CuCr40主要用于12kv和40.5kv的真空灭弧室中。CuCr合金触头材料的制造工艺，国内外有四种制造工艺(l)混粉压制烧结法；(2)真空熔渗法； (3)真空熔铸法；(4)真空电弧自耗法。这四种制造工艺中，混粉烧结的 CuCr40材料中Cr颗粒与基体Cu的界面结合不良，韧性差。熔渗法制备的 CuCr40颗粒度较大，耐电压强度不理想，开断容量已达到极限。真空电弧 自耗法，能制造出较为理想的CuCr40触头材料，但它的成本高、工艺稳定 性很难掌握。真空熔铸工艺具有诸多的优点和优势，但在此之前，真空熔铸 法只能制造出CuCr25和CuCr30触头材料。熔铸CuCr40合金触头材料的试 制是在熔铸CuCr25和熔铸CuCr30合金触头材料的基础上进行的。即将Cu、 Cr两种组元放入到中频真空感应炉中，通过感应加热方法，在高温下将两种 材料熔化，搅拌均匀，快速浇铸，并辅以快速冷却过程。实现快速形核并且 抑制核长大，从而实现CuCr合金触头材料的Cr颗粒细化、均匀弥散分布。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种采用熔铸法制备ＣｕＣｒ４０电触头的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：　ａ．制粉　先将金属Ｃｒ在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成Ｃｒ粉，制粉温度控制在－１００℃以下；　ｂ．烧结　将制得的Ｃｒ粉经压制后进 行烧结，烧结温度为１３００～１４００℃时间为１～３小时；　ｃ．熔铸　将Ｃｕ块与Ｃｒ粉坯一起装入真空炉中，升温速率为８０℃／ｍｉｎ，浇铸温度为１８００～２０００℃，快速浇铸；制得ＣｕＣｒ４０电触头材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文斌，王小军，师晓云，张红军，李刚，
申请(专利权)人：陕西斯瑞工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]