一种合金拼接靶制造技术

一种合金拼接靶，涉及一种镀膜技术，基片对应靶材的不同成分位置分层摆放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶：两个半靶分别加工出台阶，然后搭接一起。本发明专利技术结构简单，一块拼接合金靶、一次溅射实验便可以在基片上方便、快捷的制备不同成分的合金膜，且经济适用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镀膜技术，特别是涉及一种可方便快捷的制备不同成分 合金膜的合金拼接靶。
技术介绍
磁控溅射技术是利用磁场控制辉光放电产生的等离子体来轰击出靶材 表面的粒子并使其沉淀到基片表面的一种技术，是当今主流镀膜技术之一。 可用于高熔点金属、合金和化合物材料成膜。在研究合金膜的成分和性能之间的关系时，常常需要制备不同成分的合 金膜，进行性能测试，以优化出最佳的合金膜成分。通常是炼制一个成分的 合金靶，溅射后就获得相应成分的合金膜，要获得几个成分的合金膜就要炼 制几个成分的合金靶，然后分别溅射。这样炼制多个合金靶的成本比较高， 同时分别溅射的时间也比较长。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种结构简单的合金拼接靶，采用合金拼接靶可 方便快捷的制备不同成分合金膜，使之达到经济适用的使用目的。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的一种合金拼接靶，基片对应靶材的不同成分位置分层摆放，其合金拼接 靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶两个 半耙分别加工出台阶，然后搭接一起。本专利技术的优点与效果是本专利技术结构简单， 一块拼接合金耙、 一次溅射实验便可以在基片上方便、 快捷的制备不同成分的合金膜，且经济适用。 附图说明本专利技术图1为合金拼接靶主视本专利技术图2为合金拼接靶左视本专利技术图3为基片分层摆放示意图。 具体实施方案根据要获得的合金膜的成分确定合金靶的组元，两个组元或三个组元。 一个组元作为合金基体，另一个或两个组元作为合金元素，分别炼制含合金 元素低的合金靶半块(A)，含合金元素高的合金靶半块(B)，将A和B两 个半靶加工成厚度相等，且一端有其一半厚度的台阶，然后将两个半块靶拼 接成一个整体合金靶如图1、图2。溅射时，基片对应合金靶从低合金靶区 到高合金耙区分层摆放，溅射后对应低合金靶区的第一层基片上的膜含合金 元素低，对应高合金靶区的第四层基片上的膜含合金元素高，位于中间区域 的第二层和第三层基片上膜的成分介于两块靶之间。具体每一层基片上膜的 成分通过电子探针等分析确定。根据要获得的合金膜的成分确定合金靶的组元，两个组元或三个组元。 一个组元作为合金基体，另一个或两个组元作为合金元素，分别炼制含合金 元素低的合金靶半块(A)，含合金元素高的合金靶半块(B)，加工后将两 个半块靶拼接成一个整体合金靶。溅射时，基片分层摆放。溅射后对应低合 金靶区的基片上的膜含合金元素低，对应高合金靶区的基片上的膜含合金元素高，位于中间区域的基片上膜的成分介于两块靶之间。具体每一层基片上 膜的成分通过电子探针等分析确定。由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶；两 个半靶分别加工出台阶，然后搭接以免水冷板在缝隙处参与溅射影响膜的成 分；溅射时基片对应靶材的不同成分位置分层摆放的方法。溅射时采用如 图3所示的矩形基片悬挂架，分层悬挂基片2。悬挂架l的尺寸与靶一致， 与靶正面相对安装，基片从上到下依次分为第一层、第二层、第三层和第四 层。权利要求1. 一种合金拼接靶，基片对应靶材的不同成分位置分层摆放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶两个半靶分别加工出台阶，然后搭接一起。全文摘要一种合金拼接靶，涉及一种镀膜技术，基片对应靶材的不同成分位置分层摆放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶两个半靶分别加工出台阶，然后搭接一起。本专利技术结构简单，一块拼接合金靶、一次溅射实验便可以在基片上方便、快捷的制备不同成分的合金膜，且经济适用。文档编号C23C14/34GK101463467SQ20091001004公开日2009年6月24日 申请日期2009年1月9日 优先权日2009年1月9日专利技术者付广艳, 群 刘 申请人:沈阳化工学院本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合金拼接靶，基片对应靶材的不同成分位置分层摆放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶：两个半靶分别加工出台阶，然后搭接一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付广艳，刘群，
申请(专利权)人：沈阳化工学院，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]