薄膜沉积设备和方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜沉积设备和方法，通过将位于喷淋板远离加热盘一侧的挡板的边部设置为朝靠近加热盘的方向延伸，且边部的内环壁和喷淋板的外环壁之间的间隙作为第一清洗气道，然后将反应气输送管路和清洗气输送管路分别与挡板的第一通道和第二通道连通，由于第一通道与喷淋板连通，因此反应气输送管路能够朝喷淋板输入反应气，而由于第二通道与第一清洗气道连通，因此清洗气输送管路能够朝第一清洗气道输入清洗气，这样反应气输送管路输入反应气进行薄膜沉积的同时还通入清洗气，清洗气从第一清洗气道能够吹向加热盘的边缘，从而降低等离子体在加热盘边缘处分布的强度，进而可以起到降低晶圆边缘处的膜厚，提高薄膜均匀性和质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，尤其是涉及一种薄膜沉积设备和方法。

技术介绍

1、等离子体增强原子层沉积(plasma-enhanced atomic layer deposition，peald)是一种利用等离子体使金属或半导体材料以原子层的形式沉积在晶圆表面形成薄膜的技术。

2、目前沉积薄膜所用的反应腔通常是由喷淋板充当上极板，加热盘承载晶圆并充当下极板，加以射频将喷淋板喷出的反应气形成等离子体参与沉积反应生成薄膜。

3、通常，在沉积工艺结束后需要通入例如惰性气体等化学稳定性强的清洗气体进行清洗，然而经专利技术人研究发现，由于加热盘的边缘有台阶，因此加热盘边缘的化学缘更难清洗易残留，而且加热盘边缘有台阶的部位因为电场强度相较于加热盘中间区域与喷淋板间的电场强度更大，等离子体的分布更强，从而导致晶圆边缘的膜厚要大于中间区域膜厚，膜厚不够均匀，质量欠佳。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种薄膜沉积设备和方法，从而降低等离子体在加热盘边缘处分布的强度，进而可以起到降低晶圆边缘处的膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述加热盘(20)包括盘体(21)和轴体(22)，所述盘体(21)与所述喷淋板(30)正对，所述轴体(22)的一端与所述盘体(21)背向所述喷淋板(30)的一侧连接，所述轴体(22)的另一端穿设于所述反应腔(10)的壁并伸至反应腔(10)之外，且所述轴体(22)和所述反应腔(10)的壁之间形成第二清洗气道(11)，所述清洗气输送管路还与所述第二清洗气道(11)连通。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，当所述清洗气输送管路和所述反应气输送管路同时输气时，所...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述加热盘(20)包括盘体(21)和轴体(22)，所述盘体(21)与所述喷淋板(30)正对，所述轴体(22)的一端与所述盘体(21)背向所述喷淋板(30)的一侧连接，所述轴体(22)的另一端穿设于所述反应腔(10)的壁并伸至反应腔(10)之外，且所述轴体(22)和所述反应腔(10)的壁之间形成第二清洗气道(11)，所述清洗气输送管路还与所述第二清洗气道(11)连通。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，当所述清洗气输送管路和所述反应气输送管路同时输气时，所述清洗气输送管路输送清洗气的第一实时流量和所述反应气输送反应气的第二流量的比值大于0且小于或等于10。

4.根据权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，当所述清洗气输送管路和所述反应气输送管路同时输气时，所述清洗气输送管路分别送向所述第二通道(42)的清洗气的流量大于所述第二清洗气道(11)的清洗气的流量。

5.根据权利要求2所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述清洗气输送管路包括第一输气管(60)和第二输气管(70)以及设置于所述第一输气管(60)的第一控制件(61)和设置于所述第二输气管(70)的第二控制件(71)，所述第一输气管(60)与所述第二通道(42)连通，所述第二输气管(70)与所述第二清洗气道(11)...

【专利技术属性】
技术研发人员：田云龙，李晶，柴雪，王政，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：