【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种真空系统及镀膜设备。
技术介绍
1、抽真空技术广泛应用于半导体、微电子、太阳能电池等高科技行业。行业目前使用的薄膜沉积、掺杂、钝化等真空镀膜设备均使用真空泵来获取反应所要求的真空度，以获得更高质量和更高纯度的产品。随着产能要求的提高，那么真空反应室的容积也越来越大，如何控制抽真空的速度，使得达到要求真空的时间最短，且抽取过程如何稳压，保证工艺气体进入真空反应室稳定，也成为真空镀膜设备都需要面临的一个问题。
2、现有的抽真空方式均采用一个反应室对应一个真空泵或者两个真空反应室对应一个真空泵设置，反应室和真空泵一一对应的结构虽然能够保证反应室的压强稳定，但是成本较高，多个反应室和一个真空泵对应的结构由于仅仅设置一个控制总阀，多个反应室之间非常容易相互影响，易造成局部压力不同。与此同时，在上述两种结构中，如果真空泵出现损坏，只能停机进行真空泵的更换和检修，不利于产能的提升。
技术实现思路
1、本技术的第一个目的在于提出一种真空系统，该真空系统能够较好地避免多个反应腔室之间的相互影响，确保反应腔室的压力稳定，并且能够在镀膜设备保持尾气正常排出的情况下检修或者更换真空泵。
2、本技术的第二个目的在于提出一种镀膜设备，该镀膜设备能够避免多个反应腔室之间的相互影响，确保反应腔室的压力稳定，并且能够在保持尾气正常排出的情况下检修或者更换真空泵。
3、为实现上述技术效果，本技术的技术方案如下：
4、本技术公开了一种真空
5、在一些实施例中，所述控制阀组包括控制阀单元以及与所述控制阀单元并联设置的预抽阀。
6、在一些实施例中，所述控制阀单元包括串联设置的角阀和蝶阀。
7、在一些实施例中，所述真空系统还包括多个压力检测件，多个所述压力检测件与多个所述反应腔室对应设置，且每个所述压力检测件用于检测一个所述反应腔室内的压强。
8、在一些具体的实施例中，所述真空系统包括并联设置的第一支路和第二支路，所述控制阀组设在所述第一支路上，所述压力检测件设在所述第二支路上。
9、在一些实施例中，所述真空系统包括总管路，所述真空泵设在所述总管路上，且所述总管路分别与多个所述控制阀组相连。
10、在一些具体的实施例中，所述真空系统包括控制总阀，所述控制总阀设在所述总管路上且位于所述真空泵的上游。
11、在一些更具体的实施例中，所述控制总阀包括并联设置的第一阀和第二阀。
12、在一些具体的实施例中，所述真空系统包括过滤器，所述过滤器设在所述总管路上且位于所述真空泵的上游。
13、本技术还公开了一种镀膜设备，包括前文所述的真空系统及多个反应腔室，多个所述反应腔室与多个所述控制阀组一一对应设置。
14、本技术的真空系统的有益效果：实际工作过程中，启动真空泵后可以根据实际需要打开控制阀组，使得真空泵与多个反应腔室中的至少一个连通，由于多个控制阀组并联设置，较好地避免了一个反应腔室影响另外一个反应腔室的现象发生，并且能够保证各个反应腔室内的压力稳定，可以更好地保证工艺气体进入单个反应腔室后扩散的均匀性和高效性，为产品的合格率提供了保证。增设的检修阀，在真空泵需要检修的时候能够确保镀膜设备的尾气正常排出的情况下检修或者更换真空泵，既方便了真空泵的检修更换，又不会影响镀膜设备的产能。
15、本技术的镀膜设备的有益效果：由于具有前文所述的真空系统，该镀膜设备能够避免多个反应腔室之间的相互影响，确保反应腔室的压力稳定，并且能够在保持尾气正常排出的情况下检修或者更换真空泵。
16、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.真空系统，所述真空系统用于实现多个反应腔室(800)的真空度调整，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述控制阀组(200)包括控制阀单元(210)以及与所述控制阀单元(210)并联设置的预抽阀(220)。
3.根据权利要求2所述的真空系统，其特征在于，所述控制阀单元(210)包括串联设置的角阀(211)和蝶阀(212)。
4.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统还包括多个压力检测件(400)，多个所述压力检测件(400)与多个所述反应腔室(800)对应设置，且每个所述压力检测件(400)用于检测一个所述反应腔室(800)内的压强。
5.根据权利要求4所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统包括并联设置的第一支路(500)和第二支路(600)，所述控制阀组(200)设在所述第一支路(500)上，所述压力检测件(400)设在所述第二支路(600)上。
6.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统包括总管路(700)，所述真空泵(100)设在所述总管路(700
7.根据权利要求6所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统包括控制总阀(710)，所述控制总阀(710)设在所述总管路(700)上且位于所述真空泵(100)的上游。
8.根据权利要求7所述的真空系统，其特征在于，所述控制总阀(710)包括并联设置的第一阀和第二阀。
9.根据权利要求6所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统包括过滤器(720)，所述过滤器(720)设在所述总管路(700)上且位于所述真空泵(100)的上游。
10.镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的真空系统及多个反应腔室(800)，多个所述反应腔室(800)与多个所述控制阀组(200)一一对应设置。
...【技术特征摘要】
1.真空系统，所述真空系统用于实现多个反应腔室(800)的真空度调整，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述控制阀组(200)包括控制阀单元(210)以及与所述控制阀单元(210)并联设置的预抽阀(220)。
3.根据权利要求2所述的真空系统，其特征在于，所述控制阀单元(210)包括串联设置的角阀(211)和蝶阀(212)。
4.根据权利要求1所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统还包括多个压力检测件(400)，多个所述压力检测件(400)与多个所述反应腔室(800)对应设置，且每个所述压力检测件(400)用于检测一个所述反应腔室(800)内的压强。
5.根据权利要求4所述的真空系统，其特征在于，所述真空系统包括并联设置的第一支路(500)和第二支路(600)，所述控制阀组(200)设在所述第一支路(500)上，所述压力检测件(400)设在所述第二支路(600...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴志伟，郭路斌，李勃，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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