【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种晶粒样品的制备装置及制备方法。
技术介绍
1、一般来说，集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免。随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过对晶粒样品失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。
2、在传统的晶粒样品制备方法中，对于1mm以下的晶粒样品主要采用机械研磨制样和fib离子束切割制样。其中，机械研磨制样需要先对晶粒样品粗抛，然后进行精抛，不仅耗时而且耗材成本高；fib离子束切割制样需要大束流的fib设备，由于fib设备比较昂贵，导致fib离子束切割制样的成本较高。此外，在制备具有空腔的mems样品时，一般先用环氧树脂填充mems样品上的空腔，然后进行机械研磨。然而，该mems样品的空腔填充有环氧树脂，导致无法观察和分析空腔内部结构。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题中的至少一个，提供一种晶粒样品的制备装置及制备方法。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供一种晶粒样品的制备装置，所述制备装置包括：
3、承载台；
4、切割刀，位于所述承载台沿第一方向的一侧；所述切割刀能够沿所述第一方向靠近或远离所述承载台；
5、控制件，与所述切割刀连接，且用于控制所述切割刀的进给量；
6、其中，所述承载台上设置有支撑件，所述支撑件的至少部分设置在所述承载台靠近所述切割刀的一侧，所述支
7、上述制备装置，可以采用切割刀直接切割mems空腔样品，一方面，无需在mems空腔中填充环氧树脂，使得mems空腔样品被切割后，能够观察真实形貌；另一方面，在制备其他晶粒样品时，无需进行抛光研磨，缩短了晶粒的制样工时，实现了晶粒样品的快速制备，降低了制备成本，提高了制备效率。
8、在其中一个实施例中，所述制备装置还包括固定件，所述固定件位于所述承载台和所述切割刀之间，且能够沿所述第一方向靠近或远离所述承载台；所述固定件用于将所述垫片固定于所述承载台靠近所述切割刀的一侧。
9、在其中一个实施例中，所述固定件包括间隔设置的第一顶针和第二顶针，所述第一顶针和所述第二顶针均位于所述承载台和所述切割刀之间，且均能够沿所述第一方向靠近或远离所述承载台。
10、在其中一个实施例中，所述垫片上设置有粘接层，所述粘接层用于粘附所述待切割晶粒。
11、第二方面，本申请提供一种晶粒样品的制备方法，所述晶粒样品通过上述的制备装置制备，所述晶粒样品的制备方法包括：
12、在所述支撑件上放置垫片；其中，所述垫片位于所述承载台和所述切割刀之间；
13、在所述垫片沿所述第一方向的一侧放置待切割晶粒；其中，所述待切割晶粒位于所述垫片和所述切割刀之间，且部分所述待切割晶粒正对所述切割刀；
14、调节所述控制件，以使所述切割刀进给切割所述待切割晶粒，并形成所述晶粒样品。
15、上述晶粒样品的制备方法，采用切割刀直接切割mems空腔样品，一方面，无需在mems空腔中填充环氧树脂，使得mems空腔样品被切割后，能够观察真实形貌；另一方面，在制备其他晶粒样品时，无需进行抛光研磨，缩短了晶粒的制样工时，实现了晶粒样品的快速制备，降低了制备成本，提高了制备效率。
16、在上述晶粒样品的制备方法中，可选的是，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤包括：
17、将所述垫片竖直放置在所述支撑件上，并使所述垫片远离所述切割刀的一侧与所述承载台接触；
18、调节所述制备装置的固定件，以使所述固定件在所述第一方向上朝靠近所述承载台的方向移动，并与所述垫片抵接。
19、在上述晶粒样品的制备方法中，可选的是，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤之前还包括：
20、调节所述制备装置的固定件，以使所述固定件与所述承载台之间的距离大于所述垫片的厚度；
21、调节所述控制件，以使所述切割刀与所述承载台之间具有预设距离。
22、在上述晶粒样品的制备方法中，可选的是，在第二方向上，所述待切割晶粒的被切割部分与未切割部分的比值介于0.25-0.5。其中，所述第二方向和所述第一方向垂直。
23、在上述晶粒样品的制备方法中，可选的是，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤之前还包括：
24、截取所述垫片，以使所述垫片在第二方向上的宽度介于1-2cm之间，以及所述垫片在第三方向上的长度介于2.5-4.5cm之间；其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
25、在上述晶粒样品的制备方法中，可选的是，所述调节所述控制件，以使所述切割刀切割所述待切割晶粒，并形成所述晶粒样品的步骤之后还包括：
26、在所述晶粒样品的表面形成镀层。
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1.一种晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括固定件，所述固定件位于所述承载台和所述切割刀之间，且能够沿所述第一方向靠近或远离所述承载台；所述固定件用于将所述垫片固定于所述承载台靠近所述切割刀的一侧。
3.根据权利要求2所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述垫片上设置有粘接层，所述粘接层用于粘附所述待切割晶粒。
5.一种晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述晶粒样品通过如权利要求1-4中任一项所述的制备装置制备，所述晶粒样品的制备方法包括：
6.根据权利要求5所述的晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤包括：
7.根据权利要求5所述的晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤之前还包括：
8.根据权利要求5所述的晶粒样品的制备方法，其特征在于，在第二方向上，所述待切割晶粒的被切割部分与未切割部分的比值介于
9.根据权利要求5-8中任一项所述的晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑件上放置垫片的步骤之前还包括：
10.根据权利要求5-8中任一项所述的晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述调节所述控制件，以使所述切割刀进给切割所述待切割晶粒，并形成所述晶粒样品的步骤之后还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括固定件，所述固定件位于所述承载台和所述切割刀之间，且能够沿所述第一方向靠近或远离所述承载台；所述固定件用于将所述垫片固定于所述承载台靠近所述切割刀的一侧。
3.根据权利要求2所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的晶粒样品的制备装置，其特征在于，所述垫片上设置有粘接层，所述粘接层用于粘附所述待切割晶粒。
5.一种晶粒样品的制备方法，其特征在于，所述晶粒样品通过如权利要求1-4中任一项所述的制备装置制备，所述晶粒样品的制备方法包括：
6.根据权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘慧，陈倩，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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