发光器件制造技术

技术编号:40014984 阅读:23 留言:0更新日期:2024-01-16 15:51
本发明专利技术提供了一种发光器件,发光器件包括:基底、第一掩膜层、第一外延层与发光结构;第一掩膜层位于基底上,第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口,第一窗口包括开口端,开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积;第一外延层自基底外延生长至填满第一窗口;发光结构位于第一外延层与第一掩膜层上。根据本发明专利技术的实施例,使用具有第一掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底,利用第一窗口的内收侧壁,使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁,无法在第一窗口外继续延伸。因而,可以降低GaN基材料的位错密度,提高发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种发光器件


技术介绍

1、氮化镓(gan)是继si、gaas等第一、第二代半导体材料之后的第三代新型半导体材料,其作为宽禁带半导体材料有许多优点,诸如饱和漂移速度高、击穿电压大、载流子输运性能优异以及能够形成algan、ingan三元合金和alingan四元合金等,容易制作gan基的pn结。鉴于此,近几年来gan基材料和发光器件得到了广泛和深入的研究,mocvd(metal-organic chemical vapor deposition,金属有机物化学气相沉积)技术生长gan基材料日趋成熟;在发光器件研究方面,gan基led、lds等光电子器件以及gan基hemt等微电子器件方面的研究都取得了显著的成绩和长足的发展。

2、随着gan基材料在显示器件上的应用的逐步深入,终端产品对gan基材料的位错密度的需求进一步提高,而按照传统模式使用主流mocvd外延设备在主流的gan基外延基板三氧化二铝(al2o3)衬底外延生长的gan基材料的位错面密度约为1~3e8/cm^3。为了制造发光效率更高的gan基发光器件,必本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光结构(14)包括:

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一掩膜层(11)为多层结构。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一掩膜层(11)包括交替分布的第一子层(111)与第二子层(112),所述第一子层(112)与所述第二子层(113)的折射率不同以形成布拉格反射镜,所述布拉格反射镜使所述发光结构(14)发出的光在垂直所述基底(10)所在平面方向朝远离所述基底(10)方向出射。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其特...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光结构(14)包括:

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一掩膜层(11)为多层结构。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一掩膜层(11)包括交替分布的第一子层(111)与第二子层(112),所述第一子层(112)与所述第二子层(113)的折射率不同以形成布拉格反射镜,所述布拉格反射镜使所述发光结构(14)发出的光在垂直所述基底(10)所在平面方向朝远离所述基底(10)方向出射。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一掩膜层(11)包括金属反射层(114),所述发光结构(14)在所述基底(10)所在平面方向上的正投影与所述金属反射层(114)在所述基底(10)所在平面方向上的正投影至少部分重叠,所述金属反射层(113)使所述发光结构(14)发出的光在垂直所述基底(10)所在平面方向朝远离所述基底(10)方向出射。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一窗口(110)包括若干组,每组所述第一窗口(110)包括多个,组内的各个所述第一窗口(110)的开口端(110a)的面积大小不等和/或各对相邻所述第一窗口(110)的开口端(110a)之间的间距不等,以使得各个所述开口端(110a)对应的所述发光结构(14)的发光波长不同。

7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述有源层(142)的成分为ingan,组内的各个所述第一窗口(110)的开口端(110a)的面积大小不等和/或各对相邻所述第一窗口(110)的开口端(110a)之间的间距不等以使对应的所述第一窗口(110)内的ingan中in的组分不同。

8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名
申请(专利权)人:苏州晶湛半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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