【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、曝光对准系统。
技术介绍
1、随着集成电路向超大规模集成电路发展，集成电路内部的电路密度越来越大。这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制造连接线。为了满足元器件缩小后的互连需求，两层及两层以上的多层金属间的设计成为超大规模集成电路技术常采用的方法之一。目前不同金属层或者金属层与衬垫层之间的导通是通过接触件实现的。
2、而且，随着制程节点的推进，接触件的形成工艺越来越复杂，接触件之间的间距越来越小。随着接触件之间间距的减小，难以通过一次掩膜刻蚀形成所有的接触件。因此将原来一次掩膜刻蚀所使用的掩膜拆开，一拆二、一拆三，甚至一拆四，通过多次与掩膜刻蚀形成所述接触件。
3、但是多次掩膜刻蚀形成接触件的做法，对套刻精度(overlay，ovl)的控制提出了挑战。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法、曝光对准系统，以控制套刻精度。
2、为解决上述问题，本专利技术提供...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二掩膜对经第一图形化操作的第一材料层进行第二图形化操作的步骤中，基于经第一图形化操作的第一材料层，设置低阶补偿参数。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，设置低阶补偿参数的步骤中，浮动值均设置为0。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二掩膜对经第一图形化操作的第一材料层进行第二图形化操作的步骤中，基于经第一图形化操作的第一材料层，设置高阶补偿参数。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二掩膜对经第一图形化操作的第一材料层进行第二图形化操作的步骤中，基于经第一图形化操作的第一材料层，设置低阶补偿参数。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，设置低阶补偿参数的步骤中，浮动值均设置为0。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用所述第二掩膜对经第一图形化操作的第一材料层进行第二图形化操作的步骤中，基于经第一图形化操作的第一材料层，设置高阶补偿参数。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，设置高阶补偿参数的步骤中，将高阶补偿参数设置为与所述第一图形化操作过程中的高阶补偿参数相同。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在多次图形化后的所述第一材料层上形成第二功能层。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在多次图形化后的所述第一材料层上形成第二功能层的步骤中，所述第二功能层包括后层待连接件。
8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在多次图形化后的所述第一材料层上形成第二功能层的步骤包括：
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，利用第三掩膜对所述第二材料层进行第三图形化操作以形成所述第二功能层的步骤包括：
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：余燕，张春庆，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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