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一种半导体结构的形成方法和曝光对准系统，所述形成方法包括：利用掩膜组对第一材料层进行多次图形化；所述掩膜组包括：第一掩膜和第二掩膜，利用掩膜组对所述第一材料层进行多次图形化的步骤包括：利用所述第一掩膜对所述第一材料层进行第一图形化操作，所述...
该专利属于中芯南方集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯南方集成电路制造有限公司授权不得商用。

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