【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种测试电路、测试系统、测试方法和半导体器件。
技术介绍
1、mos(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金氧半场效晶体管)在半导体
中广泛应用，例如，pmos和nmos串联可以构成反相器，反相器是具有反相作用的cmos。cmos中的pmos和nmos的有效驱动电流可以辅助对cmos进行分析，例如，可以根据有效驱动电流分析cmos的寄生电容，以确定离子掺杂对cmos寄生电容和电阻的影响，进而获得更加高速的电路。
2、现有的cmos技术中，为了获得最佳的噪声容限，通常会调节pmos和nmos的器件宽度，以使晶体管构成的逻辑门的转换电压处于一半的工作电压下。在测量pmos的有效驱动电流时，将pmos的栅极、源极和漏极都单独引出，以在源极和栅极施加一半的工作电压，此时，在漏极测量得到的沟道电流可以作为pmos的有效驱动电流。同理，可以测量得到nmos的有效驱动电流。可以看出，有效驱动电流也可以理解为翻转电流。
3、然而...
【技术保护点】
1.一种测试电路，其特征在于，包括环形振荡电路和镜像电路；
2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述镜像电路包括镜像控制电路和至少一个镜像测试电路；
3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的测试电路，其特征在于，所述测试控制电路包括选择信号生成电路和电压控制电路；
6.根据权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述电压控制电路包括第一选择电路、第二选择电路和第一延迟电路；
7.根据权利要求6所述的测试电路，其...
【技术特征摘要】
1.一种测试电路，其特征在于，包括环形振荡电路和镜像电路；
2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述镜像电路包括镜像控制电路和至少一个镜像测试电路；
3.根据权利要求2所述的测试电路，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的测试电路，其特征在于，所述测试控制电路包括选择信号生成电路和电压控制电路；
6.根据权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述电压控制电路包括第一选择电路、第二选择电路和第一延迟电路；
7.根据权利要求6所述的测试电路，其特征在于，当所述镜像晶体管为pmos管时，所述第一选择电路的另一个数据输入端接入电源电压信号，所述第一选择电路还用于在所述选择信号指示所述第一输入端的电平未发生电平翻转时，将所述电源电压信号作为所述镜像晶体管的栅极电压信号；
8.根据权利要求6所述的测试电路，其特征在于，当所述镜像晶体管为nmos管时，所述第一选择电路的另一个数据输入端接地，所述第一选择电路还用于在所述选择信号指示所述第一输入端的电平未发生电平翻转时，控制所述镜像晶体管的栅极接地；
9.根据权利要求4所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括：第二延迟电路，所述第二延迟电路的输入端和所述镜像控制电路的使能输入端接入同一使能信号，所述第二延迟电路用于将接收到的所述使能信号延迟预设时间后，通过所述第二延迟电路的输出端输出至所述环形振荡电路的使能输入端，所述第二延迟电路用于控制所述环形振荡电路产生的振荡信号滞后于所述镜像控制电路产生的镜像控制信号。
10.根据权利要求9所述的测试电路，其特征在于，所述第二延迟电路包括偶数个级联的反相器。
11.根据权利要求7所述的测试电路，其特征在于，所述选择信号生成电路包括或非门和反相电路，所述或非门的两个输入端分别与所述第二反向单元的第二输入端、所述反相电路的输出端连接，所述反相电路的输入端与所述第二反向单元的第二输入端连接，当所述选择信号为高电平信号时，指示所述第一输入端的电平由高电平到低电平翻转。
12.根据权利要求8所述的测试电路，其特征在于，所述选择信号生成电路包括与非门和反相电路，所述与非门的两个输入端分别与所述第二反向单元的第二输入端、所述反相电路的输出端连接，所述反相电路的输入端与所述第二反向单元的第二输入端...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯闯明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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