【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁控溅射薄膜沉积相关，更具体地，涉及一种用于大面积薄膜制备的磁控系统。
技术介绍
1、磁控溅射是一种金属和化合物薄膜沉积技术，该技术制备的薄膜具有高均匀性和高致密性，因此广泛应用于集成电路、耐磨和防腐蚀涂层、光学涂层、建筑玻璃的大面积涂层、光伏太阳能电池等领域，实现低成本大规模工业化生产。磁控溅射工艺在高真空度环境下进行，阴极靶材被辉光放电等离子体中产生的高能氩离子轰击，溅射出大量的靶材粒子，最终靶材金属沉积在基体表面，形成膜层。与化学气相沉积、多弧离子镀等薄膜沉积技术相比，磁控溅射具有高速、低温、低损伤优势。
2、随着半导体等产业的发展，制备大面积、高质量的膜层成为下一代电子和光电器件发展的基础，磁控溅射技术镀制大面积均匀薄膜成为技术发展关键。大面积薄膜通常由多种元素复合而成，根据需求可制备为具有耐高温、耐腐蚀、抗氧化、高硬度等特性的材料，可应用于高质量有机半导体薄膜、高速飞行器热防护涂层和太阳能电池吸光层等方面。大面积膜层制备关键在于保持薄膜大范围沉积的均匀性，然而，传统磁控溅射中基片台和靶台尺寸有限，现有...
【技术保护点】
1.一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，该磁控系统包括沉积基片(10)和移动靶(100)，其中，
2.如权利要求1所述的一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，所述动态磁铁包括内磁体(130)和外磁体(120)，所述内磁体(130)固定在所述移动靶(100)的中心，所述外磁体(120)随着所述移动靶(100)沿着所述沉积基片(10)的半径方向远离该沉积基片(10)的圆心运动逐渐远离所述内磁体(130)，以此使得磁场范围逐渐增大。
3.如权利要求1或2所述的一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，所述内磁体(130)和外磁体...
【技术特征摘要】
1.一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，该磁控系统包括沉积基片(10)和移动靶(100)，其中，
2.如权利要求1所述的一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，所述动态磁铁包括内磁体(130)和外磁体(120)，所述内磁体(130)固定在所述移动靶(100)的中心，所述外磁体(120)随着所述移动靶(100)沿着所述沉积基片(10)的半径方向远离该沉积基片(10)的圆心运动逐渐远离所述内磁体(130)，以此使得磁场范围逐渐增大。
3.如权利要求1或2所述的一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，所述内磁体(130)和外磁体(120)的磁极方向相反，磁场范围收缩时，所述内磁体(130)和外磁体(120)之间的距离减小，磁场范围扩大时，所述内磁体(130)和外磁体(120)之间的距离增大。
4.如权利要求3所述的一种用于大面积薄膜制备的磁控系统，其特征在于，所述动态磁体包括多块平行设置的条形磁铁，磁场范围收缩时，所述外磁体(120)朝靠近所述内磁体(130)方向平行移动，磁场范围扩大时，所述外磁体(120)朝远离所述内磁体(130)方向平行移动。
5.如权利要...
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