【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、在绝缘衬底上的硅(silicon-on-insulator，soi)器件结构中，通常需要制备多层走线层，而且多层走线层之间还需要接触结构进行互连。这导致越靠近顶层的走线层的制备难度越大。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对相关技术中的多层走线层制备难度较大的问题提供一种半导体结构及其制备方法。
2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
3、支撑基板，
4、第一面走线层，位于所述支撑基板上方，所述第一面走线层具有第一厚度；
5、介质层，位于所述第一面走线层远离所述支撑基板的一侧；
6、半导体器件，位于所述第一面走线层与所述介质层之间，所述半导体器件连接所述第一面走线层；
7、第二面走线层，位于所述介质层远离所述第一面走线层的一侧，所述第二面走线层具有第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度不同；
8、互连柱，贯穿所述介质层且连接所述第一面走线层和所述第二面走线层。
9、在其中一个实施例中，所述第一厚度的数值小于所述第二厚度的数值；
10、所述半导体结构包括：
11、接入结构，位于所述第二面走线层远离所述支撑基板的一侧，且电连接所述第二面走线层；
12、接出结构，电连接所述第一面走线层。
13、在其中一个实施例中，所述半导体结构包括：
<...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一厚度的数值小于所述第二厚度的数值；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二面走线层包括背栅；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一厚度的数值小于所述第二厚度的数值；
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括晶体管器件，所述第一面走线层连接所述晶体管器件的栅极；
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述介质层上形成互连柱与第一面走线层，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述互连柱与所述第一面走线层上方键合支撑基板，并去除所述衬底，包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一厚度的数值小于所述第二厚度的数值；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二面走线层包括背栅；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6...
【专利技术属性】
技术研发人员：张旭，李海艇，周强，侯飞凡，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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