【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种具有物理不可克隆功能的存储装置和操作该存储装置的方法。
技术介绍
1、由于对存储装置的安全性的需求，已经开发出具有物理不可克隆功能(puf)的存储装置。puf电路可以在半导体芯片中实现以产生难以通过使用在半导体制造工艺中产生的工艺偏差来预测的随机数字值。基于puf的存储装置可以通过使用puf电路来产生唯一密钥，并且因此，可以改进存储装置的安全性。
技术实现思路
1、一个或多个实施例提供了一种通过使用存储装置中的存储器单元的分布来支持物理不可克隆功能(puf)的存储装置，以及操作该存储装置的方法。
2、根据示例实施例，一种存储装置包括：非易失性存储器，其包括被划分为第一存储器单元组和第二存储器单元组的存储器单元的存储器单元阵列；存储器控制器；以及物理不可克隆功能(puf)电路，其被配置为：基于第二存储器单元组的输出，通过从第二存储器单元组的输出中排除第一排除区域的输出、第二排除区域的输出和第三排除区域的输出来产生puf数据。第一排除区...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储器单元阵列包括多个页，并且
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一排除区域的阈值电压与大于所述第一读取电平并且小于所述第二读取电平的物理不可克隆功能参考电压电平相对应。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二排除区域包括所述第二存储器单元组中的具有最低阈值电压的最低位单元组。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第三排除区域包括所述第二存储器单元组中的具有最高阈值电压的最高位单元组。
6.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储器单元阵列包括多个页，并且
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一排除区域的阈值电压与大于所述第一读取电平并且小于所述第二读取电平的物理不可克隆功能参考电压电平相对应。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二排除区域包括所述第二存储器单元组中的具有最低阈值电压的最低位单元组。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第三排除区域包括所述第二存储器单元组中的具有最高阈值电压的最高位单元组。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述物理不可克隆功能电路还被配置为识别多个物理不可克隆功能数据的数量，并且基于所述多个物理不可克隆功能数据的数量等于或小于阈值数量，重复地产生所述物理不可克隆功能数据，使得所述多个物理不可克隆功能数据的数量大于所述阈值数量。
7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述物理不可克隆功能电路还被配置为识别多个物理不可克隆功能数据的数量，并且基于所述多个物理不可克隆功能数据的数量等于或小于阈值数量，在将所述第二存储器单元组改变为所述存储器单元阵列的另一区域后产生所述物理不可克隆功能数据。
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述物理不可克隆功能电路包括：
9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述物理不可克隆功能电路还被配置为将就阈值电压而言与所述第二存储器单元组的上50％相对应的存储器单元的阈值电压设置为物理不可克隆功能参考电压。
10.一种存储装置，包括：
11.根据权利要求10所...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。