【技术实现步骤摘要】
示例实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地讲，涉及一种非易失性存储器装置及控制其读取操作的方法。
技术介绍
1、闪速存储器装置、电阻式存储器装置等可根据多个阈值电压分布或多个电阻分布来存储数据，其中，每一相应分布被分配给针对存储的数据的对应逻辑状态。可通过确定在施加预定读取电压时存储器单元是导通还是截止来读取由存储器单元存储的数据。在读取操作期间，可以通过将预定电压或电流施加到位线来执行预充电操作。当为预充电操作产生位线电流时，由于位线之间的耦合噪声，预充电时间可能增加。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种能够减少预充电时间的非易失性存储器装置和控制该非易失性存储器装置的读取操作的方法。
2、根据示例实施例，一种非易失性存储器装置包括：位线；预充电晶体管，其被配置为在读取操作的预充电时段期间将位线电连接到电源电压，以传输从电源电压流到位线的位线电流；单元串，其连接在位线和源极线之间，单元串包括多个存储器单元并且被配置为传输位线电流的第一部分作为单元电流；以及电流...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制开关电路还被配置为：无论所述多个存储器单元中的所选存储器单元是导通单元还是截止单元，在所述预充电时段期间传输所述控制电流。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制开关电路包括：
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制信号在所述预充电时段期间持续激活。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制信号是包括在所述预充电时段期间周期性地激活的脉冲的脉冲信号。>
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制开关电路还被配置为：无论所述多个存储器单元中的所选存储器单元是导通单元还是截止单元，在所述预充电时段期间传输所述控制电流。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制开关电路包括：
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制信号在所述预充电时段期间持续激活。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制信号是包括在所述预充电时段期间周期性地激活的脉冲的脉冲信号。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述电流控制开关电路包括：
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，所述源极线包括在所述单元串区和所述接触区之间的边界处彼此分开的第一源极线段和第二源极线段。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一源极线段连接到所述单元串并且所述第二源极线段连接到所述电流控制沟道结构。
12.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述汇聚节点对应于所...
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