【技术实现步骤摘要】
本技术涉及探测器，更具体地，涉及高纯锗晶体及高纯锗探测器。
技术介绍
1、高纯锗探测器因其极好的能量分辨率及较高的探测器效率，在环保、核电、国土安全、科学研究等领域广泛应用。为了实现低于10kev的能量探测，高纯锗探测器的外电极层及外围材料需要进行相应的结构设计以确保低能射线可以抵达高纯锗探测器灵敏区进而实现光电信号的转化。其中，核心技术是高纯锗晶体的电极和机械装配支撑结构的结构设计。
2、从半导体器件结构原理理解，高纯锗探测器是用超高纯锗单晶(纯度达到13n)经过一系列半导体工艺制作形成的pn结器件。根据基底材料不同，可分为p型探测器(n+pp+结构)和n型探测器(n+np+结构)。通常，p+电极通过离子注入硼离子技术实现，n+电极通过锂扩散技术实现。对于低阈值高纯锗探测器，电极制备也是采用了离子注入硼离子和锂扩散技术。
3、相关技术中，如公开号为cn113985470a，名称为高纯锗探测器的中国专利申请公开了高纯锗探测器内的n+电极靠近高纯锗探测器的端面与高压进行连接，p+电极在高纯锗探测器的底部。
<...【技术保护点】
1.一种高纯锗晶体，用于高纯锗探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述翻边的高度大于所述侧壁的高度。
3.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述第一端部的外表面为所述高纯锗晶体的上端面，所述第二端部的外表面为所述高纯锗晶体的下端面。
4.根据权利要求3所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述侧边台阶的顶部设置有沟槽。
5.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述侧边台阶设置在所述第二端部周向的360°范围。
6.一种高纯锗探测器，其特征在于，包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种高纯锗晶体，用于高纯锗探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述翻边的高度大于所述侧壁的高度。
3.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述第一端部的外表面为所述高纯锗晶体的上端面，所述第二端部的外表面为所述高纯锗晶体的下端面。
4.根据权利要求3所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述侧边台阶的顶部设置有沟槽。
5.根据权利要求1所述的高纯锗晶体，其特征在于，所述侧边台阶设置在所述第二端部周向的360°范围。
6.一种高纯锗探测器，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗晶体的n+电极位于所述第一凹槽和所述第二端部及侧边台阶之间，所述第一凹槽与所述n+电极电接触。
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