【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对被加工物照射激光光线的激光加工装置。
技术介绍
1、具有发光二极管(led)、半导体激光器(ld)等多个发光元件的晶片是通过在蓝宝石基板、sic基板等外延基板的上表面经由缓冲层而具有由n型半导体层和p型半导体层构成的光器件层并由交叉的多条分割预定线划分发光器件而形成的，该n型半导体层和p型半导体层由gan、ingap、algan等构成。
2、而且，在光器件层侧配设移设基板，从外延基板侧对该外延基板照射具有透过性且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光光线，在晶片整个区域中破坏缓冲层，将光器件层从外延基板转移至移设基板(例如参照专利文献1)。
3、专利文献1：日本特开2013-229336号公报
4、在上述的专利文献1所记载的技术中，为了高效地破坏缓冲层，需要通过电扫描器使激光振荡器射出的激光光线高速地移动。但是，为了通过电扫描器使激光光线移动，往复动作是必不可少的，在去路的加工和回路的加工的折返中，存在在电扫描器中产生的惯性力的负载使电扫描器的寿命降低的问题。
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【技术保护点】
1.一种激光加工装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，
3.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
4.根据权利要求2所述的激光加工装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种激光加工装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，
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