【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件建模方法、装置及设备。
技术介绍
1、半导体器件模型是进行电路设计和仿真验证的基础。使用成熟的集成电路工艺进行电路设计时，其设计套件中会提供各种半导体器件的模型。这些模型基于器件内部的物理机制，并结合大量经验参数来构建数学方程式以描述器件的各种电学特性，例如电流电压特性，即iv特性。
2、新型半导体器件研发初期，研究者通常会生产多批次、不同类型的器件进行性能测试。在这个阶段，通过研究器件内部的物理机制来构建器件模型或者采用典型半导体器件的建模方法来构建新型半导体器件模型均需要花费大量时间，难以在短时间内得到可以用于电路设计的器件模型，建模效率极低。然而，想要进一步研究新型半导体器件在电路中的性能，进行电路设计和仿真验证，就必须要得到其准确的器件模型。
3、因此，亟需提供一种更为可靠的、能够满足各种新型半导体器件快速建模的半导体器件建模方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件建模方法、装置及设备，用于...
【技术保护点】
1.一种半导体器件建模方法，其特征在于，方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件建模方法，其特征在于，所述新型半导体器件的电学特性为IV特性时，确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数，具体包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，具体包括：
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件建模方法，其特征在于，方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件建模方法，其特征在于，所述新型半导体器件的电学特性为iv特性时，确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数，具体包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，具体包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件建模方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰合，吴旦昱，贾涵博，张育镇，王丹丹，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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