【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件建模方法、装置及设备。
技术介绍
1、半导体器件模型是进行电路设计和仿真验证的基础。使用成熟的集成电路工艺进行电路设计时，其设计套件中会提供各种半导体器件的模型。这些模型基于器件内部的物理机制，并结合大量经验参数来构建数学方程式以描述器件的各种电学特性，例如电流电压特性，即iv特性。
2、新型半导体器件研发初期，研究者通常会生产多批次、不同类型的器件进行性能测试。在这个阶段，通过研究器件内部的物理机制来构建器件模型或者采用典型半导体器件的建模方法来构建新型半导体器件模型均需要花费大量时间，难以在短时间内得到可以用于电路设计的器件模型，建模效率极低。然而，想要进一步研究新型半导体器件在电路中的性能，进行电路设计和仿真验证，就必须要得到其准确的器件模型。
3、因此，亟需提供一种更为可靠的、能够满足各种新型半导体器件快速建模的半导体器件建模方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件建模方法、装置及设备，用于解决现有技术中针对各种新型半导体器件建模效率低的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种半导体器件建模方法，方法包括：
4、确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据；
5、根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数；
6、采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，使参数优化后，所述典型半导体器件模型表征的电学特性拟合到所述新型半导体器件对应电学特性的测试数据中；
7、反复迭代，得到优化后的模型参数，所述优化后的模型参数所表征的电学特性与所述新型半导体器件对应电学特性测试数据之间的误差满足预设误差要求，得到用于表征新型半导体器件的模型参数，完成新型半导体器件的模型构建。
8、与现有技术相比，本专利技术提供的半导体器件建模方法是一种针对各种新型半导体器件进行建模的方法，通过确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据，根据新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数；采用随机搜索算法，优化待更新模型参数，使参数优化后，典型半导体器件模型表征的电学特性拟合到新型半导体器件对应电学特性的测试数据中；反复迭代，得到优化后的模型参数，优化后的模型参数所表征的电学特性与新型半导体器件对应电学特性测试数据之间的误差满足预设误差要求，得到用于表征新型半导体器件的模型参数，完成新型半导体器件的模型构建。该方案基于现有的典型半导体器件模型，通过优化模型参数，使其电学特性拟合到新型半导体器件的电学特性测试数据，从而快速得到新型半导体器件模型，直接用于电路设计，可以在电路设计软件内直接完成，得到模型后可以直接用于电路设计和仿真验证，具有简便易行的特点；且该建模方案建模效率高，可以得到准确的新型半导体器件模型，适合在新型半导体器件研发初期对的器件进行快速建模；通过选择对不同的模型参数进行优化，可以拟合出新型半导体器件的不同电学特性，适用于多种新型半导体器件的快速建模。
9、第二方面，本专利技术提供一种半导体器件建模装置，装置包括：
10、新型半导体器件测试数据确定模块，用于确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据；
11、待更新模型参数确定模块，用于根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数；所述新型半导体器件与所述典型半导体器件结构和/或性能不同；
12、模型参数优化模块，用于采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，使参数优化后，所述典型半导体器件模型表征的电学特性拟合到所述新型半导体器件对应电学特性的测试数据中；
13、新型半导体器件模型构建模块，用于反复迭代，得到优化后的模型参数，所述优化后的模型参数所表征的电学特性与所述新型半导体器件对应电学特性测试数据之间的误差满足预设误差要求，得到用于表征新型半导体器件的模型参数，完成新型半导体器件的模型构建。
14、第三方面，本专利技术提供一种半导体器件建模设备，设备包括：
15、通信单元/通信接口，用于确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据；
16、处理单元/处理器，用于根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数；所述新型半导体器件与所述典型半导体器件结构和/或性能不同；
17、采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，使参数优化后，所述典型半导体器件模型表征的电学特性拟合到所述新型半导体器件对应电学特性的测试数据中；
18、反复迭代，得到优化后的模型参数，所述优化后的模型参数所表征的电学特性与所述新型半导体器件对应电学特性测试数据之间的误差满足预设误差要求，得到用于表征新型半导体器件的模型参数，完成新型半导体器件的模型构建。
19、第四方面，本专利技术提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现上述的半导体器件建模方法。
20、第二方面提供的装置类方案、第三方面提供的设备类方案以及第四方面提供的计算机存储介质方案所实现的技术效果与第一方面提供的方法类方案相同，此处不再赘述。
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1.一种半导体器件建模方法，其特征在于，方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件建模方法，其特征在于，所述新型半导体器件的电学特性为IV特性时，确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数，具体包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，具体包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件建模方法，其特征在于，采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，具体包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，每组Vgs,Vds数据拟合时使用的单元电路至少包括：
7.根据权利要求4所述的半导体器件建模方法，其特征在于，所述新型半导体器件以及所述典型半导体器件为N型半导体器件或P型半导体器件。
8.一种半导体器件建模装置，其特征在于，装置包括
9.一种半导体器件建模设备，其特征在于，设备包括：
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现权利要求1～7任一项所述的半导体器件建模方法。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件建模方法，其特征在于，方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件建模方法，其特征在于，所述新型半导体器件的电学特性为iv特性时，确定需要建模的新型半导体器件电学特性，并获取所述新型半导体器件对应电学特性的实际测试数据，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，根据所述新型半导体器件的电学特性，确定需要优化的典型半导体器件的待更新模型参数，具体包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件建模方法，其特征在于，采用随机搜索算法，优化所述待更新模型参数，具体包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件建模方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈泰合，吴旦昱，贾涵博，张育镇，王丹丹，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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