【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造技术，涉及但不限于一种存储器的测试方法及测试装置。
技术介绍
1、在存储器的研发与制造过程中，往往需要对存储器进行大量的测试以确定是否存在制造过程中产生的异常。例如，由于产品制造过程中产生的线路短路、接触不良等等情况造成的漏电或者读写异常等现象。由于存储器产品的结构精密且复杂，需要通过一系列电性测试来识别出异常。然而，存储器在存储不同数据的情况下容易引起的失效模式不同，对于单一的测试方法难以准确确定存储器的失效模式。因此，需要一些更为可靠的测试方法，以准确识别出各种类型的异常情况。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器的测试方法及测试装置。
2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器的测试方法，包括：
3、向所述存储器写入第一拓扑图形对应的第一数据；
4、在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第一读取数据；
5、向所述存储器写入第二拓扑图形对应的第二数据；其中，所述第一拓扑图形与所述第二拓扑图形不同；
6、在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第二读取数据；
7、根据所述第一读取数据的第一失效数量与预设行锤参数，确定第一失效曲线；
8、根据所述第二读取数据的第二失效数量与预设行锤参数，确定第二失效曲线；
9、根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式。
10、在一些实施例中，所述方法还包括：
11、根
12、根据所述第二读取数据与所述第二数据的差异，确定所述第二失效数量。
13、在一些实施例中，在对所述存储器执行所述行锤操作的过程中，所述方法还包括：
14、依次增加所述存储器的衬底偏压；其中，所述预设行锤参数包括所述衬底偏压；所述第一失效曲线为所述第一失效数量与所述衬底偏压的关系曲线；所述第二失效曲线为所述第二失效数量与所述衬底偏压的关系曲线。
15、在一些实施例中，所述第一数据为全1数据；所述第二数据为全0数据。
16、在一些实施例中，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
17、在所述衬底偏压的预定范围内，若第一失效曲线位于第二失效曲线上，则确定所述存储器中，字线开关诱导存储单元失效的程度大于隔字线开关诱导存储单元失效的程度。
18、在一些实施例中，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
19、在所述衬底偏压的预定范围内，若第一失效曲线位于第二失效曲线下，则确定所述存储器中，隔字线开关诱导存储单元失效的程度大于字线开关诱导存储单元失效的程度。
20、在一些实施例中，所述存储器包括多条位线，每一所述位线耦接多个有源区，每一所述有源区上耦接多个存储单元。
21、在一些实施例中，向所述存储器写入第一拓扑图形对应的第一数据的步骤，包括：
22、向位于同一所述有源区上的不同存储单元分别写入不同数据；
23、其中，与同一所述位线耦接的相邻所述有源区中的数据相同。
24、在一些实施例中，在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第一读取数据的步骤，包括：
25、依次对所述存储器中的偶数字线执行所述行锤操作；
26、依次对所述存储器中的奇数字线执行所述行锤操作；
27、在执行所述行锤操作的过程中获取所述第一读取数据。
28、在一些实施例中，向所述存储器写入第二拓扑图形对应的第二数据的步骤，包括：
29、向位于同一所述有源区上的不同存储单元分别写入相同数据；
30、其中，与同一所述位线耦接的相邻所述有源区中的数据不同。
31、在一些实施例中，在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第二读取数据的步骤，包括：
32、依次对所述存储器中的偶数字线执行所述行锤操作；
33、依次对所述存储器中的奇数字线执行所述行锤操作；
34、在执行所述行锤操作的过程中获取所述第二读取数据。
35、在一些实施例中，所述预设行锤参数为行锤操作开关字线的次数。
36、在一些实施例中，所述根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
37、在所述行锤操作开关字线的次数的预定范围内，若所述第一失效曲线位于所述第二失效曲线上，则确定所述存储器中，字线开关诱导存储单元失效的程度大于隔字线开关诱导存储单元失效的程度。
38、在一些实施例中，所述根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
39、在所述行锤操作开关字线的次数的预定范围内，若所述第一失效曲线位于所述第二失效曲线下，则确定所述存储器中，字线开关诱导存储单元失效的程度小于隔字线开关诱导存储单元失效的程度。
40、第二方面，本公开实施例提供一种存储器的测试装置，包括：
41、数据写入单元，用于向所述存储器写入第一拓扑图型对应的第一数据和第二拓扑图型对应的第二数据；
42、行锤操作单元，用于向所述存储器进行行锤操作；
43、数据读取单元，用于在所述行锤操作的过程中获取第一读取数据以及获取第二读取数据；
44、失效分析单元，用于根据所述第一读取数据的第一失效数量与预设行锤参数，确定第一失效曲线；根据所述第二读取数据的第二失效数量与预设行锤参数，确定第二失效曲线；以及根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式。
45、本公开实施例的技术方案，通过在存储器中写入不同拓扑图形的数据，并分别执行行锤操作；在写入有不同的拓扑图形的数据的情况下分别统计行锤操作造成的失效数量，并根据失效数量与预设行锤参数的失效曲线比较不同拓扑图形下的失效情况，从而确定出存储器的失效模式。通过上述方法，能够有效确定存储器容易产生的失效模式，从而便于对存储器性能进行准确分析，并得到有利于产线良率提升的分析结果。
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1.一种存储器的测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对所述存储器执行所述行锤操作的过程中，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述第一数据为全1数据；所述第二数据为全0数据。
5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
6.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述存储器包括多条位线，每一所述位线耦接多个有源区，每一所述有源区上耦接多个存储单元。
8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，向所述存储器写入第一拓扑图形对应的第一数据的步骤，包括：
9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第一读取数据的步骤，包括：
10.根据权利要求7所
11.根据权利要求10所述的测试方法，其特征在于，在对所述存储器执行行锤操作的过程中获取第二读取数据的步骤，包括：
12.根据权利要求8-11任一所述的测试方法，其特征在于，所述预设行锤参数为行锤操作开关字线的次数。
13.根据权利要求12所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
14.根据权利要求12所述的测试方法，其特征在于，所述根据所述第一失效曲线和所述第二失效曲线，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
15.一种存储器的测试装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器的测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对所述存储器执行所述行锤操作的过程中，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述第一数据为全1数据；所述第二数据为全0数据。
5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
6.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述根据比较结果，确定所述存储器的失效模式的步骤包括：
7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述存储器包括多条位线，每一所述位线耦接多个有源区，每一所述有源区上耦接多个存储单元。
8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，向所述存储器写入第一拓扑图形对应的第一数据的步骤，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝国华，吴耆贤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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