【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及第三代半导体功率器件封装,尤其是涉及一种功率器件封装用金属焊膏及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着航空航天、电动汽车等领域的不断发展,对于核心功率器件的要求逐渐增高,第三代宽带隙半导体也逐渐得到了越来越多的研究和关注。第三代宽带隙半导体具有更高的运行结温,在350℃以上仍能保持良好的运行性能。
2、封装互连的可靠性决定了功率模块的使用性能以及性能发挥。互联层所采用的涂覆材料也决定了封装互连结构的可靠性。传统的锡基焊料工作温度在175℃以下,因此具有低温烧结、高温服役性能的纳米/微米金属焊膏得到了广泛应用。
3、目前,对于银、铜制成的焊膏已经存在大量研究,在实际生产应用过程中,在预烘干步骤后需要进行贴片,即在一定温度下以较低压力进行贴片,从而保证后续转移以及加压烧结过程中芯片与基板的相对位置不发生变化。然而,现有焊膏贴片后芯片与焊膏的结合强度过低,导致后续流程存在移位等风险。
4、鉴于此,特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的
...【技术保护点】
1.一种功率器件封装用金属焊膏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1包括:
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,金属颗粒为银颗粒或铜颗粒;金属颗粒的粒径范围为100-2200nm;粘结剂选自聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基纤维素和乙基纤维素中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中,有机溶剂体系中分散剂、抗氧化剂和有机溶剂之间的质量比为(0.5-3):(0-3):(94-99.5);
5.根
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件封装用金属焊膏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s1包括:
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s1中,金属颗粒为银颗粒或铜颗粒;金属颗粒的粒径范围为100-2200nm;粘结剂选自聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、甲基纤维素和乙基纤维素中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s2中,有机溶剂体系中分散剂、抗氧化剂和有机溶剂之间的质量比为(0.5-3):(0-3):(94-99.5);
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s2中,分散剂为脂肪酸中的至少...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。