匀气件、反应腔结构和镀膜设备制造技术

本申请涉及一种匀气件、反应腔结构和镀膜设备，匀气件安装于加工组件上，加工组件上设置有抽气口与加工位，匀气件包括：匀气结构，围设于加工位，抽气口位于匀气结构背离加工位的一侧；其中，匀气结构的周向侧壁上间隔设置有多个匀气孔，每一匀气孔均贯穿匀气结构。如此，抽气口产生的抽力不会直接作用在加工位上，而是通过匀气件将抽气口产生的抽力分散到每个匀气孔内，通过环绕加工位的多个匀气孔对加工位上的工艺气体进行抽气，工艺气体产生的气流更加均匀，并且多个匀气孔能够抽离的范围更大，还能够使加工位上的工艺气体抽离的更加彻底。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种匀气件、反应腔结构和镀膜设备。

技术介绍

1、现有半导体的镀膜设备中，工艺气体通过进气件进入腔体，均匀喷洒在晶圆表面或从晶圆表面流过，从而反应沉积形成需要的薄膜，工艺气体在晶圆表面反应后，通过抽气装置将工艺气体从腔体内抽离。而如果工艺气体在抽离腔体的过程中产生的气流不均匀，又或者腔体内的工艺气体未完全抽干净，均会导致反应腔内工艺气体浓度不均匀，从而导致晶圆表面形成的膜厚不均匀。

2、因此，抽气装置对腔体内工艺气体的抽气效果直接影响到晶圆的成膜均匀性，而现有抽气装置在对腔内抽气的过程中，通常在靠近抽气口的位置处流速较大，而在远离抽气口的流速较小，进而导致抽气的均匀性较差，从而影响晶圆的成膜均匀性。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有抽气装置的抽气的均匀性较差问题，提供一种匀气件、反应腔结构和镀膜设备。

2、一种匀气件，安装于加工组件上，所述加工组件上设置有抽气口与加工位，包括：

3、匀气结构，围设于所述加工位，所述抽气口位于所述匀气结构背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种匀气件，安装于加工组件(200)上，所述加工组件(200)上设置有抽气口(212)与加工位(210)，其特征在于，所述匀气件包括：

2.根据权利要求1所述的匀气件，其特征在于，所述匀气件(100)还包括缓冲结构(120)，所述缓冲结构(120)环设于所述匀气结构(110)背离所述加工位(210)的一侧，所述缓冲结构(120)贯穿设置有多个缓冲孔(121)，所述多个缓冲孔(121)环绕所述加工位(210)间隔布设；

3.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，所述缓冲孔(121)包括两个，两个缓冲孔(121)均位于所述匀气结构(110)直径所在直线上，所述抽...

【技术特征摘要】

1.一种匀气件，安装于加工组件(200)上，所述加工组件(200)上设置有抽气口(212)与加工位(210)，其特征在于，所述匀气件包括：

2.根据权利要求1所述的匀气件，其特征在于，所述匀气件(100)还包括缓冲结构(120)，所述缓冲结构(120)环设于所述匀气结构(110)背离所述加工位(210)的一侧，所述缓冲结构(120)贯穿设置有多个缓冲孔(121)，所述多个缓冲孔(121)环绕所述加工位(210)间隔布设；

3.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，所述缓冲孔(121)包括两个，两个缓冲孔(121)均位于所述匀气结构(110)直径所在直线上，所述抽气口(212)位于两个所述缓冲孔(121)之间。

4.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，多个所述缓冲孔(121)包括两组，靠近所述抽气口(212)的一组所述缓冲孔(121)的数量，小于远离所述抽气口(212)的一组所述缓冲孔(121)的数量；

5.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，靠近所述抽气口(212)的一组所述缓冲孔(121)中相邻两个所述缓冲孔(121)的间距，与远离所述抽气口(212)的一组所述缓冲孔(121)中相邻两个缓冲孔(121)的间距，两者的比值在1.2-2。

6.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，所述缓冲结构(120)贯穿设置有补偿孔，所述补偿孔的直径小于所述缓冲孔(121)。

7.根据权利要求2所述的匀气件，其特征在于，所述缓冲孔(121)的数量为20-40，直径为5mm-16mm。

8.根据权利要求1所述的匀气件，其特征在于，所述匀气孔(111)数量为30-80个，直径为3mm-10mm。

9.一种反应腔结构，其特征在于，包括加工组件(200)和如权利要求1-8任一项所述的匀气件(100)。

10.根据权利要求9所述的反应腔结构，其特征在于，所述加工组件(200)包括安装单元(220)和安装于所述安装单元(220)的抽气件(230)，所述安装单元(220)围绕所述加工位(210)设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴智，赵学，赵婷婷，聂佳相，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：