【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，特别是半导体工艺进入到深亚微米阶段后，为实现高集成、高性能的器件，沟槽隔离技术就变得越来越重要。深沟槽隔离结构(deep trench oxide isolation，简称dti)是常用的高压器件隔离结构，主要应用于bcd，sgt和tvs等工艺平台。
2、请参阅图1，其为现有深沟槽隔离结构形貌示意图。如图1所示，深沟槽隔离结构19一般通过采用硬掩膜结构11为掩膜，在衬底10上刻蚀出一道深沟槽101，并填充氧化物12形成。由于深沟槽101的深宽比(aspect ratio，简称ar)较大，于深沟槽101内填充氧化物12时，氧化物12不易填充满而形成空洞102，影响器件的隔离能力。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件，可以使得所制备的深沟槽隔离结构既具有隔离效果，同时兼具连通衬底的功能，...
【技术保护点】
1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一基底的步骤进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括覆盖所述衬底的第一介质层、覆盖所述第一介质层的第二介质层以及覆盖所述第二介质层的第三介质层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一介质层的材料为氧化物材料，所述第二介质层的材料为氮化物材料，所述第一介质层的材料为氧化物材料，且所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一基底的步骤进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括覆盖所述衬底的第一介质层、覆盖所述第一介质层的第二介质层以及覆盖所述第二介质层的第三介质层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一介质层的材料为氧化物材料，所述第二介质层的材料为氮化物材料，所述第一介质层的材料为氧化物材料，且所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底中还形成有第一导电类型的埋层，所述深沟槽隔离结构贯穿所述埋层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖黎明，仇峰，胡林辉，张蔷，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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