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本发明提供了一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件。本发明通过在深沟槽的侧壁形成隔离层，在深沟槽内形成填充满所述深沟槽、且在所述深沟槽的底部与衬底相接触的导电结构，深沟槽内的隔离层与导电结构共同构成深沟槽隔离结构，使得所述深沟槽隔离结构既...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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