【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及质谱和离子迁移率光谱领域，更具体地说，涉及气体填充的离子导向器，尤其是离子的无透镜碰撞池。
技术介绍
1、在使用质谱法和/或离子迁移率光谱法的分析系统中，有必要用离子源电离样品材料，并将生成的离子传送到分析仪器。通常也希望通过将离子碎片化为更小的分子离子来改变离子源中产生的离子。这可以通过将样品离子引入碰撞池来完成，在碰撞池中，样品离子可以与位于碰撞池中的中性气体分子碰撞。通常情况下，将特选的气体，如氩气、氮气、氦气等，注入到碰撞池的高压区域，这样离子就会与注入的气体分子碰撞。所产生的碎片或产物子离子然后离开碰撞池，并被引入离子分析仪器。
2、在这样的碰撞池中，碰撞的次数取决于气体压力和反应时间，后者与碰撞池的碰撞路径长度和离子速度有关。因此，碰撞池内相对较高的压力必须得到精确控制，而离子分析系统的其他部件通常保持在真空状态。这对于“无透镜”碰撞池来说尤其如此，其放弃了在碰撞池的入口和出口使用狭窄的孔径和离子聚焦透镜。这样的无透镜碰撞池在美国专利8,481,929号中示出，其基本配置在图1和2中显示。>
3、图1是显本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种气体保留离子导向器，包括
2.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中在直流电极的每个导电表面上施加共同的直流电压。
3.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中位于中心轴相对侧的两个直流电极的导电表面与中心轴的径向距离，从离子导向器的入口到出口之间增加或减少。
4.根据权利要求3所述的气体保留离子导向器，其中施加到直流电极的导电表面的直流电压的极性分别是排斥和吸引离子导向器中的离子。
5.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中直流电极安装在相邻射频电极的导电材料的相对槽之间。
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种气体保留离子导向器，包括
2.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中在直流电极的每个导电表面上施加共同的直流电压。
3.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中位于中心轴相对侧的两个直流电极的导电表面与中心轴的径向距离，从离子导向器的入口到出口之间增加或减少。
4.根据权利要求3所述的气体保留离子导向器，其中施加到直流电极的导电表面的直流电压的极性分别是排斥和吸引离子导向器中的离子。
5.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中直流电极安装在相邻射频电极的导电材料的相对槽之间。
6.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中直流电极的导电表面比射频电极的射频场生成表面离中心轴更远，所述射频电极的射频场生成表面对离子区的射频电场起作用。
7.根据权利要求6所述的气体保留离子导向器，其中每个直流电极在垂直于中心轴的平面上具有基本长方形的截面轮廓，而且每个直流电极的导电表面相对于中心轴的径向是垂直的。
8.根据权利要求7所述的气体保留离子导向器，其中两个相邻的射频电极的射频场产生表面被一个间隙隔开，所述间隙位于中心轴和临近的直流电极的导电表面之间。
9.根据权利要求8所述的气体保留离子导向器，其中所述预定间隙的尺寸从入口到出口是恒定的。
10.根据权利要求8所述的气体保留离子导向器，其中所述临近的直流电极的导电表面的尺寸足以使其与来自离子区的任何通过所述间隙的直线轨迹相交。
11.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中直流电极的导电表面与射频电极的任何导电表面具有最小距离，所述最小距离足以防止电弧的产生。
12.根据权利要求1所述的气体保留离子导向器，其中每个直流电极具有绝缘基板，其导电表面位于所述基板上。
13.根据权利要求12所述的气体保留离子导向器，其中每个直流电极的导电表面仅覆盖基板的一部分，并且所述基板与相邻的射频电极的导电材料接触。
【专利技术属性】
技术研发人员：费利奇安·蒙泰安，乌尔斯·斯坦纳，
申请(专利权)人：布鲁克瑞士股份公司，
类型：发明
国别省市：
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