【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种存储器设备及其操作方法。
技术介绍
1、最近的计算机环境范例已经转变为无处不在的计算环境，在该计算环境中可以随时随地使用计算系统。这促进了诸如移动电话、数字相机、笔记本计算机等便携式电子设备的使用的增加。这样的便携式电子设备通常可以包括使用存储器设备的存储器系统，即，数据存储设备。数据存储设备可以被用作便携式电子设备的主存储器设备或辅助存储器设备。
2、由于使用存储器设备的数据存储设备没有机械驱动部分，因此具有优异的稳定性和耐久性、高信息存取速度和低功耗。在具有这样的优点的存储器系统的示例中，数据存储设备包括通用串行总线(usb)存储器设备、具有各种接口的存储器卡、固态驱动器(ssd)等。
3、存储器设备通常被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。
4、非易失性存储器设备具有相对较慢的写入和读取速度，但是即使在电源的供应被中断时也保留所存储的数据。因此，非易失性存储器设备被用来存储无论电源是否被供应都将被保留的数据。非易失性存储器的示例包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、快闪存储器、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、铁电ram(fram)等。快闪存储器被分类为nor型快闪存储器或nand型快闪存储器。
技术实现思路
1、一些实施例提供了一种存储
2、根据本公开的一种实施例，一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；外围电路，被配置为对多个存储器块执行编程操作、读取操作或擦除操作；负电压生成电路，被配置为在负电压施加操作中将负电压施加到多个存储器块的位线或源极线或者位线和源极线；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路以执行编程操作、读取操作或擦除操作，并且在通电操作之后控制负电压生成电路以执行负电压施加操作。
3、根据本公开的是一种操作存储器设备的方法，该方法包括：随着电源电压从存储器设备外部被供应至存储器设备，执行通电操作以对存储器设备加电；以及执行将负电压施加到多个存储器块的位线或源极线或者位线和源极线的负电压施加操作。
4、根据本公开的是一种操作存储器设备的方法，该方法包括：随着电源电压从存储器设备外部被供应至存储器设备，执行通电操作以对存储器设备加电；执行将负电压施加到多个存储器块的位线或源极线或者位线和源极线的负电压施加操作；以及当在执行负电压施加操作之后经过设置时间时，再次执行负电压施加操作。
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1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述负电压施加操作中导通所述多个存储器块中的每个存储器块的漏极选择晶体管和源极选择晶体管。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当在所述负电压施加操作被执行之后经过设置时间时，控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：在经过所述设置时间之后的待机间隔期间控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：在所述负电压施加操作被执行之后，当所述多个存储器块的编程/擦除循环被重复的次数超过设置次数时，控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
6.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括多个存储器块，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述负电压施加操作的所述执行中，所述多个存储器块中的每个存储器块的漏极选择晶体管和源极选择晶体管被
8.根据权利要求6所述的方法，还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：当在执行所述负电压施加操作之后经过设置时间时，再次执行所述负电压施加操作。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：在执行所述负电压施加操作之后，当所述多个存储器块的编程/擦除循环被重复的次数超过设置次数时，再次执行所述负电压施加操作。
11.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括多个存储器块，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述负电压施加操作的所述执行中，所述多个存储器块中的每个存储器块的漏极选择晶体管和源极选择晶体管被导通，使得所述负电压被施加到所述多个存储器块中的每个存储器块的沟道。
13.根据权利要求11所述的方法，还包括：在执行所述负电压施加操作之后，当所述多个存储器块的编程/擦除循环被重复的次数超过设置次数时，再次执行所述负电压施加操作。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路被配置为：在所述负电压施加操作中导通所述多个存储器块中的每个存储器块的漏极选择晶体管和源极选择晶体管。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：当在所述负电压施加操作被执行之后经过设置时间时，控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：在经过所述设置时间之后的待机间隔期间控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑被配置为：在所述负电压施加操作被执行之后，当所述多个存储器块的编程/擦除循环被重复的次数超过设置次数时，控制所述负电压生成电路以再次执行所述负电压施加操作。
6.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括多个存储器块，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述负电压施加操作的所述执行中，所述多个存储器块中的每个...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳俊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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