【技术实现步骤摘要】
各种示例实施方式涉及一种制造半导体器件的方法，尤其涉及一种包括形成连接导电结构的制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、半导体器件包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的集成电路。随着半导体器件的尺寸和/或设计规则逐渐减小，mosfet的尺寸也越来越小。mosfet的按比例缩小可能使半导体器件的工作特性劣化。因此，已经进行了各种研究来制造具有改善的或优异的性能同时克服或改善由于半导体器件的集成而导致的限制的半导体器件。
技术实现思路
1、各种示例实施方式提供了一种制造其电特性被改善的半导体器件的方法。
2、根据各种示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成第一导电结构和第二导电结构；测量第一导电结构和第二导电结构之间的未对准值；基于所测量的未对准值，从一组掩模版中选择掩模版；以及使用选择的掩模版形成将第一导电结构电连接到第二导电结构的连接导电结构。
3、根据各种示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构包括主导电结构和初级导电结构；测量第一导电结构和第二导电结构之间的未对准值；确定测量的未对准值是否小于阈值；响应于测量的未对准值小于阈值，形成连接导电结构以将主导电结构电连接到第二导电结构；以及响应于测量的未对准值大于或等于阈值，形成连接导电结构以将初级导电结构电连接到第二导电结构。
4、根据各种示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成第一导电结构和第二导电结构；以
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1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述连接导电结构与所述第二导电接触的顶表面和侧壁接触。
5.根据权利要求1所述的方法，其中
6.根据权利要求1所述的方法，其中
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接导电结构至少部分地重叠所述第一导电结构和所述第二导电结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其中
9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述连接导电结构包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中
12.根据权利要求9所述的方法，其中
13.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述连接导电结构至少部分地重叠所述第二导电接触的一部分。
15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
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17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一导电结构的所述第一相邻侧壁与所述连接导电结构的所述第一边界之间的距离小于所述第二导电结构的所述第二相邻侧壁与所述连接导电结构的所述第二边界之间的距离。
18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
19.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
20.根据权利要求15所述的方法，其中所述连接导电结构的所述第一部分的长度小于所述连接导电结构的所述第二部分的长度。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述连接导电结构与所述第二导电接触的顶表面和侧壁接触。
5.根据权利要求1所述的方法，其中
6.根据权利要求1所述的方法，其中
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接导电结构至少部分地重叠所述第一导电结构和所述第二导电结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其中
9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述连接导电结构包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中
12.根据权利要求9所述的方法，其中
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