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公开了一种半导体制造方法，包括：形成第一导电结构和第二导电结构；测量第一导电结构和第二导电结构之间的未对准值；基于测量的未对准值从一组掩模版中选择掩模版；以及使用选择的掩模版形成将第一导电结构电连接到第二导电结构的连接导电结构。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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