【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开提供了包括对齐图案的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、随着半导体装置的集成程度逐渐提高，对齐图案也在完善中，这给制造操作带来了挑战。
技术实现思路
1、本专利技术公开的实施例提供了一个具有支撑图案的对齐图案。
2、本专利技术公开的一个方面涉及一种包括具有支撑图案的对齐图案的半导体装置。
3、本专利技术公开的另一个方面提供了一种形成具有支撑图案的对齐图案的方法。
4、本专利技术公开的另一个方面提供了一种制造包括具有支撑图案的对齐图案的半导体装置的方法。
5、根据本专利技术公开的一些实施例，一种半导体装置包括：底层；下核心层，其在与所述底层的顶表面的垂直方向上与所述底层间隔开，其中，所述下核心层在与所述底层的顶表面平行的水平方向上延伸，并且其中，所述下核心层包括在所述水平方向上彼此间隔开的多个下区段；上核心层，其在所述垂直方向上与所述下核心层间隔开，其中，所述上核心层在所述水平方向上延伸，并且其中，所述上核心层包括在所述水平方向上彼此间隔开的多个上区段；柱图案，其垂直地穿透所述上核心层和所述下核心层；钝化层，其围绕所述下核心层、所述上核心层和所述柱图案；涂覆层，其围绕所述钝化层；以及支撑图案，其在所述垂直方向上延伸，并且穿过所述下核心层、所述上核心层、所述钝化层和所述涂覆层。
6、根据本专利技术公开的一些实施例，一种半导体装置包括：对齐图案，所述对齐图案包括：底层；核心层，其包括在垂直方向上与
7、根据本专利技术公开的一些实施例，一种半导体装置包括包括子对齐图案的对齐图案。所述子对齐图案布置为纸风车(pinwheel)形状。每个子对齐图案包括并排布置的多个单元对齐图案。单元对齐图案的至少一个包括设置在其中的支撑图案。
8、根据本专利技术公开的一些实施例，一种半导体装置包括底层；阻挡层，其在所述底层上；钝化层，其在所述阻挡层上；下核心层，其形成在所述钝化层内部，所述下核心层包括在与所述阻挡层和所述底层平行的水平方向上延伸的多个下区段；上核心层，其形成在所述钝化层内部，所述上核心层包括在所述水平方向上延伸的多个间隔开的上区段；至少一个柱图案，其穿透所述上核心层、所述下核心层和所述钝化层以暴露出所述阻挡层，至少一个柱图案被配置为支撑所述上区段和所述下区段的至少一个；涂覆层，其围绕所述钝化层的表面；以及支撑图案，其包括垂直地穿过所述下核心层、所述上核心层、所述钝化层和所述涂覆层的多个下支撑图案和多个上支撑图案。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述下支撑图案和所述中间支撑图案包括相同的材料。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据权利要求2所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下核心层和所述上核心层包括氮化硅。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述柱图案包括相对于所述下核心层和所述上核心层具有刻蚀选择性的材料。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述涂覆层包括反射材料。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下核心层、所述上核心层和所述钝化层中的至少一个包括不透明材料。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
14.根据权利要求13所
15.一种半导体装置，包括：
16.一种半导体装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述下支撑图案和所述中间支撑图案包括相同的材料。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
7.根据权利要求2所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下核心层和所述上核心层包括氮...
【专利技术属性】
技术研发人员：李承原，朴亨镇，金太晖，洪正宇，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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