使用模拟放大器的输出电路制造技术

本发明专利技术涉及使用模拟放大器的输出电路，其包括：模拟放大器电路，该模拟放大器电路包括被构造为接收输入电压的差分放大器级和第一至第ｎ个输出系统（ｎ是大于１的自然数）；第一至第ｎ个输出节点；输出焊盘；和第一至第ｎ个静电保护电阻。第一至第ｎ个输出系统的第ｉ个输出系统（ｉ是２与ｎ之间的自然数）包括：第ｉ个ＰＭＯＳ晶体管，其具有与第一至第ｎ个输出节点中的第ｉ个输出节点相连接的漏极和与差分放大器级的第一输出相连接的栅极；和第ｉ个ＮＭＯＳ晶体管，其具有与第ｉ个输出节点相连接的漏极和与差分放大器级的第二输出相连接的栅极。第一至第ｎ个静电保护电阻分别被连接在第一至第ｎ个输出节点和输出焊盘之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及输出电路，并且更加具体地涉及用于在使用模拟放大器的输出电路中 减少被连接至缓冲器的静电保护电阻的影响的技术。
技术介绍
通常，在集成电路的输出电路中，静电保护电阻被串联地插入在输出级和输出焊 盘之间。当没有串联地插入静电保护电阻时，输出级中的晶体管的尺寸必须被增加或者输 出晶体管必须具有静电保护元件。然而，由于它们，寄生电容增加，芯片尺寸增加，或者不能 够完成所想要的特性。当静电保护电阻被串联地连接在输出级和缓冲器之间时，静电保护电阻的电阻 值被设置在其中用于保护内部晶体管受静电影响所定义的条件被满足的范围内。静电保 护电阻通常被设置为数十Ω至数百Ω的电阻值。当电阻值小于此范围时，不能够满足在 MIL(军用)标准和EIAJ(日本电子工业协会)中所定义的静电保护标准。然而，当静电保护电阻被连接至输出电路时，输出特性减小。下面将会描述静电保 护电阻被连接至输出电路时的输出特性的减小。图1示出使用运算放大器的输出电路的图。在图1中所示的输出电路中，静电保 护电阻RESD被连接在模拟放大器电路101的输出和输出焊盘(pad) 102之间。模拟放大器 电路101包括差分放大器级本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种输出电路，包括：模拟放大器电路，所述模拟放大器电路包括：差分放大器级，所述差分放大器级被构造为接收输入电压，和第一至第ｎ个输出系统，ｎ是大于１的自然数；第一至第ｎ个输出节点；输出焊盘；以及第一至第ｎ个静电保护电阻，其中，所述第一至第ｎ个输出系统的第ｉ个输出系统，ｉ是２与ｎ之间的自然数，包括：第ｉ个ＰＭＯＳ晶体管，所述第ｉ个ＰＭＯＳ晶体管具有与所述第一至第ｎ个输出节点中的所述第ｉ个输出节点相连接的漏极和与所述差分放大器级的第一输出相连接的栅极；以及第ｉ个ＮＭＯＳ晶体管，所述第ｉ个ＮＭＯＳ晶体管具有与所述第ｉ个输出节点相连接的漏极和与所述差分放大器级的第二输出相连接的栅极，并且其中，所述第一至...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西村浩一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]