一种多级放大器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多级放大器电路，包括MOS管Q2、电阻R2、电容C2、三极管Q3、三极管Q4、电容C3和电阻R6，所述电阻R2一端分别连接电源VCC和三极管Q4集电极，电阻R2另一端分别连接电阻R4、三极管Q3发射极和MOS管Q2的S极，MOS管Q2的D极分别连接电阻R4、电容C2和电容C3，电容C2另一端连接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别连接电阻R5和三极管Q4基极，三极管Q4发射极分别连接输出端Vo、电阻R6和电容C4，电容C4另一端分别连接输入端Vi和MOS管Q2的G极。本实用新型专利技术三级放大器件匹配良好，组成了一个频率特性好、噪声低、电压电流增益都比较高、输入对前级加载轻，输出对后级驱动能力强的放大通路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种放大器，具体是一种多级放大器电路。
技术介绍
功率放大器简称功放，是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动负载的放大器，功率放大器在家电、数码产品中的应用起到了枢纽作用，与我们日常生活有着密切关系。功率放大器是手机无线发射机中的重要组成部分，在手机无线发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去，为了获得足够大的射频输出功率，必须采用功率放大电路。目前人们对于通信设备的研究焦点都在小型化上，而现有的很多放大器电路都采用运放等专用芯片进行控制，体积较大。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种多级放大器电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种多级放大器电路，包括MOS管Q2、电阻R2、电容C2、三极管Q3、三极管Q4、电容C3和电阻R6，所述电阻R2一端分别连接电源VCC和三极管Q4集电极，电阻R2另一端分别连接电阻R4、三极管Q3发射极和MOS管Q2的S极，MOS管Q2的D极分别连接电阻R4、电容C2和电容C3，电容C2另一端连接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别连接电阻R5和三极管Q4基极，三极管Q4发射极分别连接输出端Vo、电阻R6和电容C4，电容C4另一端分别连接输入端Vi和MOS管Q2的G极，所述电阻R6另一端分别连接电容C3另一端和电阻R5另一端。作为本技术进一步的方案：所述电源VCC电压为5V。作为本技术再进一步的方案：所述MOS管Q1为PMOS管。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术三级放大器件匹配良好，组成了一个频率特性好、噪声低、电压电流增益都比较高、输入对前级加载轻，输出对后级驱动能力强的放大通路，电路结构简单，成本低，体积小。附图说明图1为多级放大器电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种多级放大器电路，包括MOS管Q2、电阻R2、电容C2、三极管Q3、三极管Q4、电容C3和电阻R6，所述电阻R2一端分别连接电源VCC和三极管Q4集电极，电阻R2另一端分别连接电阻R4、三极管Q3发射极和MOS管Q2的S极，MOS管Q2的D极分别连接电阻R4、电容C2和电容C3，电容C2另一端连接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别连接电阻R5和三极管Q4基极，三极管Q4发射极分别连接输出端Vo、电阻R6和电容C4，电容C4另一端分别连接输入端Vi和MOS管Q2的G极，所述电阻R6另一端分别连接电容C3另一端和电阻R5另一端；所述电源VCC电压为5V；所述MOS管Q1为PMOS管。,请参阅图1，第一级为场效应管共源极放大器，MOS管具有输入阻抗高，热噪声低的特点，共源极接法有较高增益，输入为电压变量，输出为电流变量；第二级为PNP晶体管共基极放大器，R2、R4构成直流偏置，C2为交流旁路，使基极与地交流短路，成为公共参考点，发射极输入，集电极输出，频率特性好、电压增益高、无电流增益、输入阻抗低、输出阻抗高，正好与前后级匹配；第三级为NPN晶体管共集电极放大器，此电路以集电极通过电源回路成为公共参考点，基极输入，发射极输出，又称射极跟随器，频率特性好、
电压无增益、输出跟随基极电压、输入阻抗高、输出阻抗低、驱动能力强。本技术三级放大器件匹配良好，组成了一个频率特性好、噪声低、电压电流增益都比较高、输入对前级加载轻，输出对后级驱动能力强的放大通路。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多级放大器电路，包括MOS管Q2、电阻R2、电容C2、三极管Q3、三极管Q4、电容C3和电阻R6，其特征在于，所述电阻R2一端分别连接电源VCC和三极管Q4集电极，电阻R2另一端分别连接电阻R4、三极管Q3发射极和MOS管Q2的S极，MOS管Q2的D极分别连接电阻R4、电容C2和电容C3，电容C2另一端连接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别连接电阻R5和三极管Q4基极，三极管Q4发射极分别连接输出端Vo、电阻R6和电容C4，电容C4另一端分别连接输入端Vi和MOS管Q2的G极，所述电阻R6另一端分别连接电容C3另一端和电阻R5另一端。

【技术特征摘要】
1.一种多级放大器电路，包括MOS管Q2、电阻R2、电容C2、三极管Q3、三极管Q4、电容C3和电阻R6，其特征在于，所述电阻R2一端分别连接电源VCC和三极管Q4集电极，电阻R2另一端分别连接电阻R4、三极管Q3发射极和MOS管Q2的S极，MOS管Q2的D极分别连接电阻R4、电容C2和电容C3，电容C2另一端连接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别连...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海，
申请(专利权)人：黄海，
类型：新型
国别省市：浙江;33