一种瞬间电压抑制器及形成瞬间电压抑制器的方法技术

一种瞬间电压抑制器（ＴＶＳ）器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；和覆盖所述半导体衬底的第二导电类型的第一和第二半导体区域。第二导电类型的半导体层覆盖所述第一和第二半导体区域。ＴＶＳ器件具有延伸通过半导体层和第一半导体区域并进入到半导体衬底中的第一沟槽；设置在所述第一沟槽中的第二导电类型的填充材料。ＴＶＳ器件中的箝位二极管具有在填充材料的外扩散区域和半导体衬底的一部分之间的结。该ＴＶＳ器件还包括形成在半导体层的第一部分中的第一ＰＮ二极管；和第二ＰＮ二极管，具有在第二半导体区域和半导体衬底之间的结。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体器件，特别是涉及。
技术介绍
随着集成电路技术持续发展，器件体积变得越来越小且工作电压变得越来越低。 同时，器件运行变得越来越快并且工作频率变得越来越高。因此，更加难以实现瞬间电压抑 制器(transient voltage suppressor, TVS)或静电(ESD)保护器件，以满足当今集成电路 的需要。TVS或ESD器件必须提供低的击穿电压和低的电容以满足低压高速的要求。许多传统的TVS或ESD保护器件使用齐纳(Zener) 二极管(p+/n+结)来提供这种 ESD保护。一些传统静电(ESD)保护器件使用在η型区域和下面的ρ型衬底之间的Π+/Ρ+结 作为箝位二极管(通常被称作齐纳二极管)。在形成箝位二极管之后，其它器件(如PN 二 极管)形成在该齐纳二极管的顶部以形成其它想要形成的器件。在以下的文件中公开了这种齐纳二极管的例子例如，于2009年8月25日授予 A. Salih等人的美国专利No. 7，579,632 ；以及于2009年5月26日授予T. Keena等人的美 国专利No. 7，538，395。在这些器件中，齐纳二极管是衬底二极管的埋层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬间电压抑制器（ＴＶＳ）器件，包括：ｐ型半导体衬底；第一ｎ型半导体区域和第二ｎ型半导体区域，覆盖所述半导体衬底，所述第一区域具有第一掺杂浓度，所述第二区域具有比所述第一掺杂浓度低的第二掺杂浓度；ｎ型半导体层，覆盖所述第一ｎ型半导体区域和所述第二ｎ型半导体区域；多个沟槽，延伸通过所述ｎ型半导体层和所述第一ｎ型半导体区域并进入到所述ｐ型半导体衬底；ｎ型填充材料，设置在所述多个沟槽中的每个中；箝位二极管，具有在所述ｎ型填充材料的外扩散区域和所述ｐ型半导体衬底的一部分之间的结区域，其中：所述箝位二极管与在所述第一ｎ型半导体区域和所述ｐ型半导体衬底之间的二极管结并联耦合，以及所述箝位二极管被配置成具...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯霍，刘先锋，梁晋穗，程小强，
申请(专利权)人：上海新进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]