一种过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术属于保护电路技术领域，其目的在于提供一种过流保护电路

【技术实现步骤摘要】
一种过流保护电路


[0001]本技术属于保护电路
，具体涉及一种过流保护电路
。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor
，绝缘栅双极型晶体管
)
是由双极型三极管
(Bipolar Junction Transistor
，
BJT)
和绝缘栅型场效应管
(Metal Oxide Semiconductor
，
MOS)
组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
,
兼有金氧半场效晶体管
(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)
的高输入阻抗和电力晶体管
(Giant Transistor
，
GTR)
的低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为
600V
及以上的变流系统
。
目前，随着国内对消费类电子需求的日益旺盛，
IGBT
器件得以广泛应用
。
[0003]但是，在使用现有技术过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：
[0004]在对
IGBT
器件进行测试的过程中，由于
IGBT
是高频开关器件，其芯片内部的电流密度较大，当
IGBT
器件中流过大于额定值的电流，即出现过流问题时，极易使
IGBT
器件管芯结温升高，导致器件烧坏
。

技术实现思路

[0005]为了至少在一定程度上解决上述技术问题，本技术提供了一种过流保护电路
。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]一种过流保护电路，包括待测
IGBT、
防护
IGBT、
电流线圈
、
反馈电路和栅极驱动电路，所述防护
IGBT
的功率大于待测
IGBT
的功率；所述待测
IGBT
的发射极连接有电源电路的正极接线端，所述待测
IGBT
的集电极与所述防护
IGBT
的发射极连接，所述防护
IGBT
的集电极连接所述电源电路的负极接线端，所述待测
IGBT
的发射极和所述电源电路的正极接线端的结合点通过所述电流线圈与所述反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与所述栅极驱动电路的输入端电连接，所述栅极驱动电路的输出端与所述防护
IGBT
的栅极电连接
。
[0008]在一个可能的设计中，所述反馈电路包括依次与所述电流线圈电连接的比较模块和触发模块，所述触发模块的输出端作为所述反馈电路的输出端与所述栅极驱动电路的输入端电连接
。
[0009]在一个可能的设计中，所述比较模块包括比较器
、
第一电阻
、
第二电阻
、
第一二极管
、
第二二极管
、
第一电容和第二电容；比较器的同相输入端通过第一电阻与所述电流线圈电连接，比较器的反相输入端通过第二电阻连接有基准电流，比较器的输出端作为所述比较模块的输出端与所述触发模块电连接，比较器的正电源端电连接有
+5V
电源，比较器的正电源端依次通过第一二极管和第二二极管接地，第一二极管和第二二极管的结合点与比较器的同相输入端电连接，比较器的正电源端还通过第一电容接地，比较器的负电源端通过
第二电容接地，比较器的负电源端和接地端均接地
。
[0010]在一个可能的设计中，所述触发模块包括
74AC74
型触发器触发器
、
第三电阻
、
第四电阻
、
第五电阻
、
第六电阻和第三电容；触发器的3脚通过第三电阻与所述比较模块的输出端电连接，触发器的1脚依次通过第四电阻和第三电容接地，第四电阻和第三电容的结合点以及触发器的
14
脚均电连接有
+5V
电源，触发器的2脚通过第五电阻接地，触发器的5脚通过第六电阻与所述栅极驱动电路的输入端电连接，触发器的6脚为故障检测脚，触发器的7脚接地
。
[0011]在一个可能的设计中，所述栅极驱动电路包括依次与所述反馈电路的输出端电连接的逻辑模块
、
光耦模块和栅极驱动模块，所述光耦模块和栅极驱动模块均外接有浮动电源模块，所述栅极驱动模块的输出端作为所述栅极驱动电路的输出端与所述防护
IGBT
的栅极电连接
。
[0012]在一个可能的设计中，所述逻辑模块包括
MC74AC08
型逻辑门芯片和第四电容；逻辑门芯片的1脚作为所述栅极驱动电路的输入端与所述反馈电路的输出端电连接，逻辑门芯片的1脚还通过第四电容接地，逻辑门芯片的3脚作为所述逻辑模块的输出端与所述光耦模块连接
。
[0013]在一个可能的设计中，所述光耦模块包括
FOD3182
型光电耦合器
、
第五电容和第七电阻；光电耦合器的2脚分别通过第五电容和第七电阻电连接有
+5V
电源，光电耦合器的3脚与所述逻辑模块的输出端电连接，光电耦合器的5脚电连接有
‑
10V
浮动电源，光电耦合器的8脚电连接有
15V
浮动电源，光电耦合器的6脚和7脚的结合点作为所述光耦模块的输出端与所述栅极驱动模块电连接
。
[0014]在一个可能的设计中，所述栅极驱动模块包括
IXDN630YI
型栅极驱动器
、
第八电阻和第九电阻；栅极驱动器的1脚电连接有
15V
浮动电源，栅极驱动器的2脚通过第八电阻与所述防护
IGBT
的栅极电连接，栅极驱动器的3脚电连接有
‑
10V
浮动电源，栅极驱动器的4脚通过第九电阻与所述光耦模块的输出端电连接
。
[0015]本技术的有益效果集中体现在，可为待测
IGBT
提供过流保护，避免待测
IGBT
器件烧坏，利于提升
IGBT
的使用寿命
。
具体地，本技术在实施过程中，电流线圈
、
待测
IGBT
与防护
IGBT
依次连接，反馈电路可通过电流线圈实时检测待测
IGBT
所在主回路的电流大小，再将该检测电流反馈至栅极驱动电路；防护
IGBT
的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种过流保护电路，其特征在于：包括待测
IGBT(Q3)、
防护
IGBT(Q5)、
电流线圈
(CC)、
反馈电路和栅极驱动电路，所述防护
IGBT(Q5)
的功率大于待测
IGBT(Q3)
的功率；所述待测
IGBT(Q3)
的发射极连接有电源电路的正极接线端，所述待测
IGBT(Q3)
的集电极与所述防护
IGBT(Q5)
的发射极连接，所述防护
IGBT(Q5)
的集电极连接所述电源电路的负极接线端，所述待测
IGBT(Q3)
的发射极和所述电源电路的正极接线端的结合点通过所述电流线圈
(CC)
与所述反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与所述栅极驱动电路的输入端电连接，所述栅极驱动电路的输出端与所述防护
IGBT(Q5)
的栅极电连接
。2.
根据权利要求1所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述反馈电路包括依次与所述电流线圈
(CC)
电连接的比较模块和触发模块，所述触发模块的输出端作为所述反馈电路的输出端与所述栅极驱动电路的输入端电连接
。3.
根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述比较模块包括比较器
(U15)、
第一电阻
(R92)、
第二电阻
(R93)、
第一二极管
(D16)、
第二二极管
(D15)、
第一电容
(C51)
和第二电容
(C52)
；比较器
(U15)
的同相输入端通过第一电阻
(R92)
与所述电流线圈
(CC)
电连接，比较器
(U15)
的反相输入端通过第二电阻
(R93)
连接有基准电流，比较器
(U15)
的输出端作为所述比较模块的输出端与所述触发模块电连接，比较器
(U15)
的正电源端电连接有
+5V
电源，比较器
(U15)
的正电源端依次通过第一二极管
(D16)
和第二二极管
(D15)
接地，第一二极管
(D16)
和第二二极管
(D15)
的结合点与比较器
(U15)
的同相输入端电连接，比较器
(U15)
的正电源端还通过第一电容
(C51)
接地，比较器
(U15)
的负电源端通过第二电容
(C52)
接地，比较器
(U15)
的负电源端和接地端均接地
。4.
根据权利要求2所述的一种过流保护电路，其特征在于：所述触发模块包括
74AC74
型触发器
(U16)、
第三电阻
(R94)、
第四电阻
(R95)、
第五电阻
(R4)、
第六电阻
(R98)
和第三电容
(C53)
；触发器
(U16)
的3脚通过第三电阻
(R94)
与所述比较模块的输出端电连接，触发器
(U16)
的1脚依次通过第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：金星，王光会，胡玉正，徐金龙，
申请(专利权)人：悦芯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：