一种自恢复过流保护电路制造技术

技术编号:39896644 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-30 13:10
本发明专利技术公开了一种自恢复过流保护电路,属于过流保护技术领域,包括多个开关管

【技术实现步骤摘要】
一种自恢复过流保护电路


[0001]本专利技术涉及过流保护
,且特别是有关于一种自恢复过流保护电路


技术介绍

[0002]开关电源中,过流保护电路是开关电源保护电路的核心部分之一

当电源输出端连接的负载超过额定负载时,会对电源造成损坏,过流保护电路可以有效地保障开关电源系统中的功率元件以及系统供电电路工作在安全区域

[0003]常用的过流保护电路采用截止型过流保护方式,以提高电源的可靠性,但每次发生过流之后需要人工进行复位,降低了用户使用的便利性


技术实现思路

[0004]本专利技术旨在提供一种自恢复过流保护电路,能够实现过流保护自恢复的功能

[0005]为达到上述目的,本专利技术技术方案是:
[0006]一种自恢复过流保护电路,包括多个开关管

多个电阻

第一稳压二极管

第一稳压器与第一电容,电源连接第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接第一开关管的源极,所述第一电阻的第一端连接第二开关管的发射极,所述第二开关管的基极连接所述第一电阻的第二端,所述第二开关管的集电极连接所述第一开关管的栅极

[0007]所述第二开关管的集电极连接第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接地,所述第一电容并联在所述第二电阻的两端,所述第二电阻的第一端连接所述第一稳压器的参考端,所述第一稳压器的阳极接地,所述第一稳压器的阴极经过第三电阻连接所述第一电阻的第二端,所述第一稳压器的阴极连接所述第一稳压二极管的阴极,所述第一稳压二极管的阳极连接第三开关管的基极,所述第三开关管的发射极接地,所述第三开关管的集电极连接所述第一开关管的栅极,所述第一开关管的漏极与所述第三开关管的发射极连接负载

[0008]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第一二极管,所述第二开关管的集电极连接所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的栅极

[0009]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第四电阻,所述第二开关管的基极经过所述第四电阻连接所述第一电阻的第二端

[0010]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第五电阻,所述第二开关管的集电极连接所述第五电阻的第一端,所述第五电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端

[0011]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第六电阻,所述第二电阻的第一端连接所述第六电阻的第一端,所述第六电阻的第二端连接所述第一稳压器的参考端

[0012]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第七电阻,所述第一稳压二极管的阳极连接所述第七电阻的第一端,所述第七电阻的第二端连接所述第三开关管的基极

[0013]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第八电阻,所述第三开关管的集电极经过所述第八电阻连接所述第一开关管的栅极

[0014]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第九电阻,所述第九电阻的第一端连接所述第七电阻的第二端,所述第九电阻的第二端连接所述第三开关管的发射极

[0015]进一步地,上述一种自恢复过流保护电路,还包括第二二极管与第十电阻,所述第六电阻的第二端连接所述第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极连接所述第十电阻的第一端,所述第十电阻的第二端连接所述第三开关管的集电极

[0016]在一具体实施例中,上述第一开关管为
P

MOSFET
,上述第二开关管为
PNP
型三极管,上述第三开关管为
NPN
型三极管

[0017]有益效果,本专利技术一种自恢复过流保护电路,电路结构简单,易于实现;在负载不正常时,开关管交替导通与关断,直至负载恢复正常,从而实现过流保护的自恢复;同时,开关管交替导通与关断,不会持续发热,造成开关管烧毁

[0018]为让专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下

附图说明
[0019]图1为本专利技术一种自恢复过流保护电路的电路示意图

[0020]图2为图1中一具体实施例的电路示意图

具体实施方式
[0021]为使本专利技术实施例的目的和技术方案更加清楚,下面将结合本专利技术实施例的附图,对本专利技术实施例的技术方案进行清楚

完整地描述

显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例

基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围

[0022]图1为本专利技术一种自恢复过流保护电路的电路示意图

如图1所示,电源
V
in
连接电阻
R1
的第一端,电阻
R1
的第二端连接开关管
Q1
的源极,开关管
Q1
的漏极为输出端
OUT1
,电阻
R1
的第一端连接开关管
Q2
的发射极,开关管
Q2
的基极连接电阻
R1
的第二端,开关管
Q2
的集电极连接开关管
Q1
的栅极

[0023]进一步地,开关管
Q2
的集电极连接电阻
R2
的第一端,电阻
R2
的第二端连接地,电容
C1
并联在电阻
R2
的两端

电阻
R2
的第一端连接稳压器
IC1
的参考端,稳压器
IC1
的阳极接地,稳压器
IC1
的阴极经过电阻
R3
连接电阻
R1
的第二端,稳压器
IC1
的阴极连接稳压二极管
D1
的阴极,稳压二极管
D1
的阳极连接开关管
Q3
的基极,开关管
Q3
的发射极接地,开关管
Q3
的集电极连接开关管
Q1
的栅极,开关管
Q3
的发射极为输出端
OUT2。
[0024]进一步地,输出端
OUT1
与输出端
OUT2
之间连接负载

[0025]在一具体实施例中,开关管
Q1

P

MOSFET。
[0026]在一具体实施例中,开关管
Q2

PNP
型三极管<本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种自恢复过流保护电路,其特征在于,包括多个开关管

多个电阻

第一稳压二极管

第一稳压器与第一电容,电源连接第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接第一开关管的源极,所述第一电阻的第一端连接第二开关管的发射极,所述第二开关管的基极连接所述第一电阻的第二端,所述第二开关管的集电极连接所述第一开关管的栅极;所述第二开关管的集电极连接第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端连接地,所述第一电容并联在所述第二电阻的两端,所述第二电阻的第一端连接所述第一稳压器的参考端,所述第一稳压器的阳极接地,所述第一稳压器的阴极经过第三电阻连接所述第一电阻的第二端,所述第一稳压器的阴极连接所述第一稳压二极管的阴极,所述第一稳压二极管的阳极连接第三开关管的基极,所述第三开关管的发射极接地,所述第三开关管的集电极连接所述第一开关管的栅极,所述第一开关管的漏极与所述第三开关管的发射极连接负载
。2.
如权利要求1所述一种自恢复过流保护电路,其特征在于,还包括第一二极管,所述第二开关管的集电极连接所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的栅极
。3.
如权利要求2所述一种自恢复过流保护电路,其特征在于,还包括第四电阻,所述第二开关管的基极经过所述第四电阻连接所述第一电阻的第二端
。4.
如权利要求3所述一种自恢复过流保护电路,其特征在于,还包括第五电阻,所述第二开关管的集电极连接所述第五电阻的第...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:盈帜科技常州有限公司
类型:发明
国别省市:

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