【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法
[0001]本专利技术涉及晶圆制备
,具体涉及碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法
。
技术介绍
[0002]碳化硅晶圆是指以碳化硅材料为基础制造的圆形硅片
。
它是电子器件和光电器件制造中的重要组成部分,用于制造多种高性能和特殊用途的半导体器件;
[0003]碳化硅晶圆在生产后,其表面会残留污渍或金属离子污染物,需要通过针对清洗的方式对其表面进行清洗清洁,以便碳化硅晶圆后续的加工制备;
[0004]然而现有的碳化硅晶圆在清洗期间,是通过承载设施对晶圆进行集中放置,再将其置入到清洗设备中,利用水振动完成晶圆的清洗作业,但是集中放置的晶圆之间的间隙较小,这样的清洗方式容易导致晶圆清洗不彻底,表面存在残留的情况,并且晶圆在集中清洗期间后的干燥也是较为不便,致使部分晶圆上会残留水渍,影响清洗指标,因此需要弥补此缺陷
。
技术实现思路
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,解决了
技术介绍
中提到的问题
。
[0006]为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:
[0007]碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括如下加工步骤:
[0008]步骤一:导入晶圆
[0009]将晶圆放置在进料组件内,并导入到装夹区进行装夹;
[0010]步骤二:一次装夹晶圆
[0011]晶圆达到装夹区后,利用装夹组件对 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括如下加工步骤:步骤一:导入晶圆将晶圆放置在进料组件内,并导入到装夹区进行装夹;步骤二:一次装夹晶圆晶圆达到装夹区后,利用装夹组件对晶圆进行一次装夹,此时晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待清洗;步骤三:清洗晶圆位于晶圆上下方的喷淋组件进行喷淋,位于晶圆上下面的清洗辊套进行滚动清洗;步骤四:二次装夹晶圆晶圆清洗完毕后输送到干燥区,利用装夹组件对晶圆进行二次装夹,清洗的晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待干燥;步骤五:干燥晶圆;位于晶圆上下方的干燥组件进行鼓吹干燥,得到清洗后的晶圆
。2.
根据权利要求1所述的碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括碳化硅晶圆清洗设备,清洗设备还包括下腔体和上腔体,所述下腔体的顶部固定安装有上腔体,所述上腔体的两侧分别固定安装有连通的第一进料组件与第二进料组件,所述上腔体内转动安装有清洗组件,所述清洗组件两侧的上腔体内转动安装有导料辊组,所述清洗组件与导料辊组之间的上腔体内固定安装有四组旋转式装夹组件二,所述上腔体内的顶部与底部皆固定安装有相互配合的喷淋组件,所述第二进料组件内底部固定安装有四组旋转式装夹组件一,所述第二进料组件内对接安装有过载组件,所述第二进料组件的端口处固定安装有双面干燥组件,所述第二进料组件的底部固定安装有与旋转式装夹组件一传动配合的驱动组件二,所述下腔体内的底部固定安装有与旋转式装夹组件二传动配合的驱动组件一;所述清洗组件包括电机
、
上旋转辊
、
下旋转辊
、
清洗辊套,过载组件包括单向气缸
、
载板
、
载料杆,双面干燥组件包括进气腔体
、
导气通道
、
鼓气嘴,旋转式装夹组件一与旋转式装夹组件二皆通过套座
、
马达
、
装夹辊轮
、
传动轴件组成;上腔体内转动安装有下旋转辊与上旋转辊,下旋转辊与上旋转辊的同一端对接有传导齿轮,上旋转辊的一端对接安装有电机,下旋转辊与上旋转辊上套装有清洗辊套;第二进料组件的正面对接安装有载料杆,载料杆的外端共同安装有载板,载板的外侧固定安装有与第二进料组件连接的单向气缸,第二进料组件的端口处固定安装有进气腔体,进气腔体内侧的顶部与底部皆固定安装有连通的导气通道,且导气通道的内侧固定安装有连通的鼓气嘴,第二进料组件与上腔体内对接安装有四组传动轴件,传动轴件的顶部固定安装有套座,且套座内套装有马达,马达的输出端对接安装有装夹辊轮
【专利技术属性】
技术研发人员:詹军,
申请(专利权)人:南京孚克讯新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。