碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法技术

技术编号:39895146 阅读:10 留言:0更新日期:2023-12-30 13:08
本发明专利技术提供碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,包括步骤一:导入晶圆,将晶圆放置在进料组件内,并导入到装夹区进行装夹;步骤二:一次装夹晶圆,晶圆达到装夹区后,利用装夹组件对晶圆进行一次装夹,此时晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待清洗;步骤三:清洗晶圆,位于晶圆上下方的喷淋组件进行喷淋,位于晶圆上下面的清洗辊套进行滚动清洗;步骤四:二次装夹晶圆

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法


[0001]本专利技术涉及晶圆制备
,具体涉及碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法


技术介绍

[0002]碳化硅晶圆是指以碳化硅材料为基础制造的圆形硅片

它是电子器件和光电器件制造中的重要组成部分,用于制造多种高性能和特殊用途的半导体器件;
[0003]碳化硅晶圆在生产后,其表面会残留污渍或金属离子污染物,需要通过针对清洗的方式对其表面进行清洗清洁,以便碳化硅晶圆后续的加工制备;
[0004]然而现有的碳化硅晶圆在清洗期间,是通过承载设施对晶圆进行集中放置,再将其置入到清洗设备中,利用水振动完成晶圆的清洗作业,但是集中放置的晶圆之间的间隙较小,这样的清洗方式容易导致晶圆清洗不彻底,表面存在残留的情况,并且晶圆在集中清洗期间后的干燥也是较为不便,致使部分晶圆上会残留水渍,影响清洗指标,因此需要弥补此缺陷


技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,解决了
技术介绍
中提到的问题

[0006]为实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案予以实现:
[0007]碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括如下加工步骤:
[0008]步骤一:导入晶圆
[0009]将晶圆放置在进料组件内,并导入到装夹区进行装夹;
[0010]步骤二:一次装夹晶圆
[0011]晶圆达到装夹区后,利用装夹组件对晶圆进行一次装夹,此时晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待清洗;
[0012]步骤三:清洗晶圆
[0013]位于晶圆上下方的喷淋组件进行喷淋,位于晶圆上下面的清洗辊套进行滚动清洗;
[0014]步骤四:二次装夹晶圆
[0015]晶圆清洗完毕后输送到干燥区,利用装夹组件对晶圆进行二次装夹,清洗的晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待干燥;
[0016]步骤五:干燥晶圆;
[0017]位于晶圆上下方的干燥组件进行鼓吹干燥,得到清洗后的晶圆

[0018]通过在上述碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法中得到碳化硅晶圆清洗设备,清洗设备还包括下腔体和上腔体,所述下腔体的顶部固定安装有上腔体,所述上腔体的两侧分别固定安装有连通的第一进料组件与第二进料组件,所述上腔体内转动安装有清洗
组件,所述清洗组件两侧的上腔体内转动安装有导料辊组,所述清洗组件与导料辊组之间的上腔体内固定安装有四组旋转式装夹组件二,所述上腔体内的顶部与底部皆固定安装有相互配合的喷淋组件,所述第二进料组件内底部固定安装有四组旋转式装夹组件一,所述第二进料组件内对接安装有过载组件,所述第二进料组件的端口处固定安装有双面干燥组件,所述第二进料组件的底部固定安装有与旋转式装夹组件一传动配合的驱动组件二,所述下腔体内的底部固定安装有与旋转式装夹组件二传动配合的驱动组件一;
[0019]所述清洗组件包括电机

上旋转辊

下旋转辊

清洗辊套,过载组件包括单向气缸

载板

载料杆,双面干燥组件包括进气腔体

导气通道

鼓气嘴,旋转式装夹组件一与旋转式装夹组件二皆通过套座

马达

装夹辊轮

传动轴件组成;
[0020]上腔体内转动安装有下旋转辊与上旋转辊,下旋转辊与上旋转辊的同一端对接有传导齿轮,上旋转辊的一端对接安装有电机,下旋转辊与上旋转辊上套装有清洗辊套;第二进料组件的正面对接安装有载料杆,载料杆的外端共同安装有载板,载板的外侧固定安装有与第二进料组件连接的单向气缸,第二进料组件的端口处固定安装有进气腔体,进气腔体内侧的顶部与底部皆固定安装有连通的导气通道,且导气通道的内侧固定安装有连通的鼓气嘴,第二进料组件与上腔体内对接安装有四组传动轴件,传动轴件的顶部固定安装有套座,且套座内套装有马达,马达的输出端对接安装有装夹辊轮

[0021]进一步的,上腔体内部的两侧皆对接安装有传料辊一,上腔体内的底部设置有两组集液槽,上腔体的顶部装配有配合使用的透明窗

[0022]进一步的,所述下腔体的内部固定安装有与集液槽连通的排液组件,排液组件包括过滤芯体

排液管,下腔体内的顶部对接安装有与集液槽连通的过滤芯体,且过滤芯体的底部共同对接安装有排液管

[0023]进一步的,所述喷淋组件包括导流通道一

接液头

喷液嘴

导流通道二,上腔体内的顶部与底部皆固定安装有相互配合的导流通道一,且导流通道一的端部对接安装有连通的导流通道二,导流通道二的端部对接安装有与晶圆对应的喷液嘴,上腔体的背面装配有与导流通道一连通的接液头

[0024]进一步的,所述第一进料组件包括第一进料腔

传料辊一,上腔体的一侧固定安装有连通的第一进料腔,且第一进料腔内装配有传料辊一

[0025]进一步的,所述第二进料组件包括第二进料腔

传料辊二,上腔体的另一侧固定安装有连通的第二进料腔,第二进料腔内装配有传料辊二

[0026]进一步的,所述过载组件还包括固定板

对接套头,第二进料腔的底部固定安装有固定板,单向气缸的输出端与固定板的外侧安装连接,第二进料腔的内侧固定安装有与载料杆对应的对接套头

[0027]进一步的,所述驱动组件一与驱动组件二皆包括双头气缸

齿板

传导齿轮,下腔体内的底部及的底部皆固定安装有双头气缸,双头气缸的输出端对接安装有齿板,旋转式装夹组件一与旋转式装夹组件二底部的轴端皆固定安装有传导齿轮,且传导齿轮与齿板相互啮合

[0028]进一步的,所述双面干燥组件还包括接气头,进气腔体的外侧固定安装有接气头

[0029]本专利技术提供了碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法

与现有技术相比,具备以下有益效果:
[0030]利用旋转式装夹组件完成对晶圆的装夹固定,在装夹后,又可以利用自身的驱动件同步带动晶圆进行同向旋转,保证晶圆在旋转下得到充分清洗作业,并且四点装夹保证了晶圆在清洗期间平稳性

[0031]通过双面干燥组件使设备实现了双面式干燥的效果,避免清洗晶圆上的水渍残留;
[0032]通过清洗组件采用了双辊双面的清洗方式来配合清洗液进行清洗作业,提高了晶圆整体的清洗进程

附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括如下加工步骤:步骤一:导入晶圆将晶圆放置在进料组件内,并导入到装夹区进行装夹;步骤二:一次装夹晶圆晶圆达到装夹区后,利用装夹组件对晶圆进行一次装夹,此时晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待清洗;步骤三:清洗晶圆位于晶圆上下方的喷淋组件进行喷淋,位于晶圆上下面的清洗辊套进行滚动清洗;步骤四:二次装夹晶圆晶圆清洗完毕后输送到干燥区,利用装夹组件对晶圆进行二次装夹,清洗的晶圆被装夹组件进行旋转装夹,等待干燥;步骤五:干燥晶圆;位于晶圆上下方的干燥组件进行鼓吹干燥,得到清洗后的晶圆
。2.
根据权利要求1所述的碳化硅晶圆表面金属离子污染的清洗方法,其特征在于:包括碳化硅晶圆清洗设备,清洗设备还包括下腔体和上腔体,所述下腔体的顶部固定安装有上腔体,所述上腔体的两侧分别固定安装有连通的第一进料组件与第二进料组件,所述上腔体内转动安装有清洗组件,所述清洗组件两侧的上腔体内转动安装有导料辊组,所述清洗组件与导料辊组之间的上腔体内固定安装有四组旋转式装夹组件二,所述上腔体内的顶部与底部皆固定安装有相互配合的喷淋组件,所述第二进料组件内底部固定安装有四组旋转式装夹组件一,所述第二进料组件内对接安装有过载组件,所述第二进料组件的端口处固定安装有双面干燥组件,所述第二进料组件的底部固定安装有与旋转式装夹组件一传动配合的驱动组件二,所述下腔体内的底部固定安装有与旋转式装夹组件二传动配合的驱动组件一;所述清洗组件包括电机

上旋转辊

下旋转辊

清洗辊套,过载组件包括单向气缸

载板

载料杆,双面干燥组件包括进气腔体

导气通道

鼓气嘴,旋转式装夹组件一与旋转式装夹组件二皆通过套座

马达

装夹辊轮

传动轴件组成;上腔体内转动安装有下旋转辊与上旋转辊,下旋转辊与上旋转辊的同一端对接有传导齿轮,上旋转辊的一端对接安装有电机,下旋转辊与上旋转辊上套装有清洗辊套;第二进料组件的正面对接安装有载料杆,载料杆的外端共同安装有载板,载板的外侧固定安装有与第二进料组件连接的单向气缸,第二进料组件的端口处固定安装有进气腔体,进气腔体内侧的顶部与底部皆固定安装有连通的导气通道,且导气通道的内侧固定安装有连通的鼓气嘴,第二进料组件与上腔体内对接安装有四组传动轴件,传动轴件的顶部固定安装有套座,且套座内套装有马达,马达的输出端对接安装有装夹辊轮

【专利技术属性】
技术研发人员:詹军
申请(专利权)人:南京孚克讯新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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